[发明专利]铝质等离子体室部件的清洁方法

权利要求书

1.一种清洁处理半导体基板的等离子体室的组件的铝或阳极化铝表面的方法，该方法包括：

把该表面浸泡在稀释的硫酸过氧化物（DSP）溶液中；

把该表面从该DSP溶液中移除之后，喷射冲洗该表面；

把该表面浸泡在稀硝酸（HNO₃）溶液中；

把该表面从该硝酸溶液移除之后，喷射冲洗该表面；且

重复在稀硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在把该表面浸泡在该稀释的硫酸过氧化物（DSP）溶液中之前，执行以下步骤：

把该表面浸泡在丙酮中；

将该表面从丙酮中移除后，把该表面浸泡在异丙醇（IPA）中；

把该表面从IPA中移除后，用水（超纯水）喷射冲洗该表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其还包括，重复在硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次之后，对该表面进行超声波清洁。

4.根据权利要求3所述的方法，其还包括，在超声波清洁之后，喷射冲洗该表面，并用清洁干燥的空气（CDA）或氮吹干该表面。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括，在该喷射冲洗和吹干该表面之后，烘焙该表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，该DSP溶液含有约5.0vol%的98wt% H₂SO₄溶液、5.0vol%的30% H₂O₂溶液、及90vol％的超纯水（UPW）。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述稀HNO₃溶液具有浓度约为2至5wt％的HNO₃和作为余量的水。

8.根据权利要求1的方法，还包括，使用至少两种不同的稀硝酸溶液执行该重复在稀硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次。

9.根据权利要求1的方法，还包括，在稀硝酸溶液中浸泡该表面之后用稀硝酸擦拭该表面，并且其中，该稀硝酸擦拭是通过使用在浓度为约2wt％的HNO₃且余量为水的溶液中浸渍的湿巾进行的，且该稀硝酸溶液具有浓度约为5wt％的HNO₃和作为余量的水。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，把该表面浸泡在该约5wt％HNO₃溶液中的步骤进行约2~5分钟。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，把该表面浸泡在稀释的硫酸过氧化物（DSP）溶液中的步骤进行约5分钟。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述把该表面浸泡在稀HNO₃溶液中的步骤还包括把该表面在约5wt％HNO₃溶液中浸泡约5分钟。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述表面是阳极化表面，所述方法还包括，把该表面在约0.2wt％HNO₃溶液中浸泡约2小时，接着用HCl起泡试验评估该阳极化表面的耐腐蚀性。

14.根据权利要求3所述的方法，其中，对该表面进行超声波清洁的步骤包括，在40kHz下以8-16W/平方英寸的功率密度清洁该组件约10至20分钟。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面是阳极化铝表面，且还包括在该表面的该清洁之后，在该阳极化铝表面上执行热去离子水（DIW）密封。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在该室中对半导体基板进行等离子体处理之后，从该室中移除该阳极化铝表面；且

在该阳极化铝表面的该清洁之后，在该阳极化铝表面上进行该热DIW密封。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：在该等离子体处理的约24小时内在该阳极化铝表面上进行该热DIW密封。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，该热去离子水密封进一步包括，把该阳极化铝表面放入pH值在约5.7和约6.2之间、温度为约98℃-约100℃的热DIW罐中。