[发明专利]可形成亲水自清洁减反射膜涂料的制备方法有效
| 申请号: | 201210411603.1 | 申请日: | 2012-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN103044977A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
| 发明(设计)人: | 郭昭龙;赵卫;赵海新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号: | C09D1/00 | 分类号: | C09D1/00;C09D5/00;C03C17/23;C01B33/141 |
| 代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨引雪 |
| 地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 清洁 减反射膜 涂料 制备 方法 | ||
1.一种可形成亲水自清洁减反射膜涂料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1]取氨水、醇和去离子水混合后加热至30-90℃,氨水、醇、去离子水的体积比为1:10-60:0.5-5;
2]取有机硅源和醇混合得到混合液,有机硅源和醇的体积比例为1:1-30;
3]将经步骤2制备的反应溶液一次性加入步骤1制备的混合液中反应1-15min,步骤1制备的溶液与步骤2制备的反应溶液体积比为2:1-2,
4]向步骤3制备的溶液中添加去离子水反应1-15min,添加量为总溶液体积的5-30%;然后再添加氨水反应,添加量为总溶液体积的0.5-8%;
5]步骤4反应完成后,再反应1-6小时;
6]步骤5反应完成后,去除氨气即得到成品。
2.根据权利要求1所述的可形成亲水自清洁减反射膜涂料的制备方法,其特征在于:所述步骤6去除氨气是采用加热冷凝回流的方法去除。
3.根据权利要求2所述的可形成亲水自清洁减反射膜涂料的制备方法,其特征在于:所述步骤1、步骤2中所述的醇为甲醇、丙醇、异丙醇、丁醇的一种或两种及两种以上以任意比例混合。
4.根据权利要求3所述的可形成亲水自清洁减反射膜涂料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中所述的机硅源指的是正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸丙酯中的一种或者两种及两种以上以任意比例混合。
5.根据权利要求4所述的可形成亲水自清洁减反射膜涂料的制备方法,其特征在于:所述步骤4进行1-3次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所,未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210411603.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





