[发明专利]一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器

权利要求书

1.一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成，下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属，诱导层I为N型氧化物，诱导层II为P型氧化物，上电极为在电场作用下性质稳定的金属或导电化合物，下电极、诱导层I、诱导层II和上电极的厚度分别为5-200nm。

2.根据权利要求1所述自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：所述在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属为铜、银、铁、锌或镍。

3.根据权利要求1所述自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：所述N型氧化物功率为50-300W下制备的氧化钛或掺杂质量为1-10%磷的二氧化硅。

4.根据权利要求1所述自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：所述P型氧化物为5-15%氧气分压下制备的氧化镍或掺杂质量为1-10%硼的二氧化硅。

5.根据权利要求1所述自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：所述在电场作用下性质稳定的金属为铂、铱或钌，导电化合物为氮化钛或氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述自发生长金属纳米晶颗粒的P／N型叠层阻变存储器，其特征在于：所述下电极在电场强度为5-500M V/m的正向电场作用下在诱导层I中自发生长金属纳米晶颗粒，在对下电极加反向负偏压时变成低电阻从而进行存储数据“1”的操作，在对下电极加正向或反向偏压时变成高电阻从而进行存储数据“0”的操作。