[发明专利]一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液有效
| 申请号: | 201210410184.X | 申请日: | 2012-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN103773626B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
| 发明(设计)人: | 刘兵;彭洪修;孙广胜;颜金荔 | 申请(专利权)人: | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | C11D7/32 | 分类号: | C11D7/32;C11D7/26;C11D7/60;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京大成律师事务所11352 | 代理人: | 李佳铭 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 蚀刻 去除 残留物 清洗 | ||
1.一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液,其特征在于,所述清洗液由醇胺,醇醚,邻苯三酚和/或其衍生物,没食子酸和/或其酯和水组成;
其中,
所述醇胺的质量百分比含量为40-70wt%,所述醇醚的质量百分比含量为10-40wt%,所述邻苯三酚和/或其衍生物的质量百分比含量为0.1-10wt%,所述没食子酸和/或其酯的质量百分比含量为0.1-5wt%,所述水的质量百分比含量为10-30wt%。
2.如权利要求1所述的清洗液,其特征在于:所述醇胺的质量百分比含量为50-65wt%,所述醇醚的质量百分比含量为15-30wt%,所述邻苯三酚和/或其衍生物的质量百分比含量为0.5-5wt%,所述没食子酸和/或其酯的质量百分比含量为0.5-3wt%,所述水的质量百分比含量为15-25wt%。
3.如权利要求1所述的清洗液,其特征在于:所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的清洗液,其特征在于:所述的醇醚选自二乙二醇单烷基醚和二丙二醇单烷基醚。
5.如权利要求4所述的清洗液,其特征在于:所述的二乙二醇单烷基醚为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚和/或二乙二醇单丁醚;所述的二丙二醇单烷基醚为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚和/或二丙二醇单丁醚。
6.如权利要求4所述的清洗液,其特征在于:所述的醇醚为二丙二醇单烷基醚。
7.如权利要求6所述的清洗液,其特征在于:所述的醇醚为二丙二醇单甲醚。
8.如权利要求1所述的清洗液,其特征在于:所述的邻苯三酚和/或其衍生物选自邻苯三酚、5-甲基邻苯三酚、5-甲氧基邻苯三酚、5-叔丁基邻苯三酚和5-羟甲基邻苯三酚中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的清洗液,其特征在于:所述的没食子酸和/或其酯选自没食子酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、没食子酸丁酯、没食子酸辛酯、没食子酸月桂酯和1-没食子酸甘油酯中的一种或多种。
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