[发明专利]一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法及光开关

权利要求书

1.一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A：在清洗好的高阻态硅片的正面沉积第一层电介质薄膜材料，并刻蚀形成驱动臂中的第一材料结构层；

步骤B：在第一材料结构层上蒸发第一层金属薄膜材料，并刻蚀形成金属层，该金属层为焊盘与驱动臂中的一层材料结构，该金属层与步骤A中形成的第一层材料结构层形成驱动臂；

步骤C：在步骤B中形成的金属层上溅射第二层金属薄膜，并采用刻蚀或剥离工艺形成微镜面；

步骤D：以微镜面作为掩膜，在高阻态硅片的背面进行深硅刻蚀，并形成一空腔，该空腔位于微镜面与驱动臂的下方；

步骤E：在高阻态硅片的正面进行深硅刻蚀，并无需对其掩膜，以形成直梁双稳态结构；

步骤F：刻蚀完成后，冷却至室温，形成双稳态结构的初始状态。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述步骤A中的沉积的方式为PECVD，刻蚀的方法为干法或湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述步骤A中的第一层电介质薄膜的材料为SiO₂。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述步骤B中的金属层为焊盘与驱动臂中的导体层，该金属层的材料为Al。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述步骤B中的刻蚀的方法为干法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述步骤C中的第二层金属薄膜的材料为Au。

7.根据权利要求1所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述步骤F中形成的双稳态结构的初始状态为双稳态结构的第一稳定状态，所述双稳态结构的初始高度与双稳态结构的长度之比，即h/L大于3。

8.根据权利要求7所述的一种MEMS微镜双稳态结构的制作方法，其特征在于，所述双稳态结构的初始高度与双稳态结构的长度之比，即h/L大于6。

9.一种具有由权利要求1至8任一方法制作得到的MEMS微镜双稳态结构的光开关，其特征在于，包括双稳态结构及驱动结构，所述双稳态结构设置于驱动结构的上方。

10.根据权利要求9所述的光开关，其特征在于，所述驱动结构的驱动方式磁场驱动或者线圈驱动方式。