[发明专利]一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法无效
| 申请号： | 201210409003.1 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103943686A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 洪旭峰;宋凯霖 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201102 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 封装 免焊片 肖特基势垒二极管 芯片 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N型半导体材料为基片，在上面生长N-外延层，N-外延层淀积一层金属作为势垒层，势垒层淀积三层金属作为阳极，N型基片淀积三层金属作为阴极。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述的势垒层金属为金属Ti、Cr、Ni、Ni/Cr合金或Ni/P合金，阳极与阴极为三层金属（即如图示）。
3.一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片的制备方法，其步骤包括：在形成阳极与阴极金属时，改变阳极与阴极焊接层金属的类别。
4. 根据权利要求3所述的肖特基势垒二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述的阴极与阳极的外层金属为Sn。
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