[发明专利]一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺及制做的器件

权利要求书

1.一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺，其特征在于，

采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质；同时高温退火，在石墨烯中引入禁带。

2.如权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，所述退火工艺实现步骤如下：

(1)将铜箔放在反应室内，向反应室通入H₂，对铜箔进行处理；

(2)向反应室通入Ar和CH₄；

(3)在Fe(NO₄)₃水溶液中浸泡30-60min，使用GaN衬底打捞起来，在空气中加热60min，温度保持在150-200℃；

(4)放入丙酮中浸泡24小时彻底去除残留的PMMA；

(5)分别用无水乙醇和去离子水漂洗，高纯N₂吹干；

(6)反应室抽真空，再通入Ar气，气压0.01-0.1Torr，温度上升到100-200℃，保持30-40min；

(7)再通入Ar和H₂的混合气，退火。

3.如权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，将铜箔放在反应室内，向反应室通入H₂，对铜箔进行处理，流量1-20sccm，温度900-1000℃，时间20-60min，气压1-50Torr。

4.如权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，向反应室通入Ar和CH₄，保持Ar和CH₄的流量比为10∶1-2∶1，Ar流量20-200sccm，CH₄流量1-20sccm，气压维持在0.1-1Torr，温度900-1100℃，升温和保持时间共20-60min；

5.如权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，在0.05g/ml-0.15g/mlFe(NO₄)₃水溶液中浸泡30-60min，使用GaN衬底打捞起来，在空气中加热60min，温度保持在150-200℃。

6.如权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，再通入Ar和H₂的混合气，混合比例为10∶1-1∶1，气压维持在0.01-0.1Torr，退火温度为1000-1100℃，退火时间1-2h。

7.一种利用权利要求1所述的SiC衬底转移石墨烯的退火工艺制做的器件。