[发明专利]一种快速恢复电路及连接于该快速恢复电路的误差放大器和比较器有效
| 申请号： | 201210407747.X | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103780245B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘天罡;樊茂 | 申请（专利权）人： | 华润矽威科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 200333 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 恢复 电路 | ||
1.一种快速恢复电路，适用于连接到一受控电路的一个端口以使该端口的电压快速脱离无效区域，其特征在于：所述快速恢复电路包括第一MOS管、第二MOS管、输入端、电流注入节点、第一电源端、第二电源端以及电流源，所述输入端连接所述受控电路的端口，所述第一MOS管的栅极与所述输入端相连接，所述第一MOS管的源极和漏极其中一个与所述电流注入节点连接，另一个与所述第一电源端或第二电源端相连接，所述第二MOS管的栅极连接所述电流注入节点，所述第二MOS管的源极和漏极分别与所述输入端和所述电流注入节点相连接，所述电流源与所述电流注入节点相连接。
2.如权利要求1所述的快速恢复电路，其特征在于，所述电流源包括第三MOS管以及与第三MOS管的栅极相连接的偏置电压，所述第三MOS管的源极和漏极其中一个连接所述电流注入节点，另一个连接所述第一电源端或第二电源端。
3.如权利要求1所述的快速恢复电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NMOS管，所述第一MOS管的源极与所述第二电源端相连接，所述第一MOS管的漏极与所述电流注入节点相连接。
4.如权利要求2所述的快速恢复电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NMOS管，所述第一MOS管的源极与所述第二电源端相连接，所述第一MOS管的漏极与所述电流注入节点相连接。
5.如权利要求4所述的快速恢复电路，其特征在于，所述第三MOS管为PMOS管，所述第三MOS管的源极连接所述第一电源端，漏极连接所述电流注入节点。
6.如权利要求1所述的快速恢复电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为PMOS管，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端相连接，所述第一MOS管的漏极与所述电流注入节点相连接。
7.如权利要求2所述的快速恢复电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为PMOS管，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端相连接，所述第一MOS管的漏极与所述电流注入节点相连接。
8.如权利要求7所述的快速恢复电路，其特征在于，所述第三MOS管为NMOS管，所述第三MOS管的源极连接所述第二电源端，漏极连接所述电流注入节点。
9.一种误差放大器，在该误差放大器的输出端连接有如权利要求1-8任一项所述的快速恢复电路。
10.一种比较器，在该比较器的输出端连接有如权利要求1-8任一项所述的快速恢复电路。
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