[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210407214.1 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103531578B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 傅宗民;陈文豪;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
工件；
多条第一导线，设置在所述工件的上方并位于金属化层中；以及
多条第二导线，设置在所述工件的上方并位于所述金属化层中，其中在所述工件的截面中，所述多条第二导线的垂直高度大于所述多条第一导线的垂直高度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多条第二导线中的一条导线设置在所述多条第一导线中的两条导线之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导线位于所述半导体器件的边缘或所述半导体器件的区域的边缘，而所述第一导线位于所述第二导线之间的中心区域中，或者所述第一导线位于所述半导体器件的边缘或所述半导体器件的区域的边缘，而所述第二导线位于所述第一导线之间的中心区域中。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多条第二导线包括电力轨。
5.一种半导体器件，包括：
工件；
多条第一导线，设置在所述工件的上方并位于金属化层中，在所述工件的截面中，所述多条第一导线包括第一垂直高度；以及
多条第二导线，设置在所述工件的上方并位于所述金属化层中，在所述工件的截面中，所述多条第二导线包括第二垂直高度，其中所述第二垂直高度大于所述第一垂直高度。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二垂直高度比所述第一垂直高度大约1.5至3倍。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多条第二导线的电阻低于所述多条第一导线的电阻。
8.一种制造半导体器件的方法，包括：
在工件上方形成位于第一金属化层中的多条第一导线，在截面中，所述多条第一导线包括第一垂直高度；以及
在所述工件上方形成位于所述第一金属化层中的多条第二导线，在截面中，所述多条第二导线包括第二垂直高度，所述第二垂直高度大于所述第一垂直高度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述多条第一导线或形成所述多条第二导线包括镶嵌工艺或金属蚀刻工艺。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述多条第一导线和形成所述多条第二导线包括在所述工件上方形成绝缘材料，并且使用第一光刻掩模和第二光刻掩模图案化所述绝缘材料。
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