[发明专利]动态MOSFET栅极驱动器有效
| 申请号: | 201210407021.6 | 申请日: | 2012-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN103095137A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
| 发明(设计)人: | 李勇;史富强;A·K-C·李;D·阮;陈江 | 申请(专利权)人: | 艾沃特有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 动态 mosfet 栅极 驱动器 | ||
1.一种切换功率转换器,包括:
变压器,包括:初级绕组,耦合到输入电压;以及次级绕组,耦合到所述切换功率转换器的输出;
场效应晶体管开关,耦合到所述变压器的所述初级绕组,在所述场效应晶体管开关接通之时生成经过所述初级绕组的电流,而在所述场效应晶体管开关关断之时不生成经过所述初级绕组的电流;以及
驱动器控制电路,配置成生成用于在所述场效应晶体管开关的多个切换周期期间接通或者关断所述场效应晶体管开关的控制信号,所述切换周期中的每个切换周期包括其中所述场效应晶体管开关接通的第一部分和其中所述场效应晶体管开关关断的第二部分,并且所述驱动器控制电路在所述场效应晶体管开关的所述切换周期中的至少一个切换周期的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个部分内调整所述控制信号的量值。
2.根据权利要求1所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路将所述控制信号的所述量值从在所述切换周期中的所述一个切换周期的所述第一部分的较早时段期间的第一电平调整至在所述切换周期中的所述一个切换周期的所述第一部分的较晚时段期间的第二电平。
3.根据权利要求1所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路将所述控制信号的所述量值从在所述切换周期中的所述一个切换周期的所述第二部分的较早时段期间的第一电平调整至在所述切换周期中的所述一个切换周期的所述第二部分的较晚时段期间的第二电平。
4.根据权利要求1所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路包括:
第一场效应晶体管,具有可变接通电阻;
第二场效应晶体管,与所述第一场效应晶体管串联耦合并且也具有可变接通电阻;
其中所述场效应晶体管开关的栅极耦合到在所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管之间的节点,
调整所述第一场效应晶体管的所述接通电阻以在所述至少一个切换周期的所述第一部分期间调整所述控制信号的所述量值,并且
调整所述第二场效应晶体管的所述接通电阻以在所述至少一个切换周期的所述第二部分期间调整所述控制信号的所述量值。
5.根据权利要求4所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路响应于计时器达到从所述场效应晶体管开关接通时起的预定时间阈值在所述至少一个切换周期的所述第一部分期间将所述第一场效应晶体管的所述接通电阻从第一电阻调整至第二电阻,并且其中所述驱动器控制电路响应于所述计时器达到从所述场效应晶体管开关关断时起的预定时间阈值在所述至少一个切换周期的所述第二部分期间将所述第二场效应晶体管的所述接通电阻从第三电阻调整至第四电阻。
6.根据权利要求5所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路响应于所述场效应晶体管开关的栅极到源极电压在所述切换周期中的所述一个切换周期的所述第一部分期间超过阈值在所述至少一个切换周期的所述第一部分期间将所述第一场效应晶体管的所述接通电阻从所述第一电阻调整至所述第二电阻。
7.根据权利要求5所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路响应于所述场效应晶体管的漏极到源极电压在所述切换周期中的所述一个切换周期的所述第一部分期间超过阈值在所述至少一个切换周期的所述第一部分期间将所述第一场效应晶体管的所述接通电阻从所述第一电阻调整至所述第二电阻。
8.根据权利要求4所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路响应于所述场效应晶体管的栅极到源极电压在所述至少一个切换周期的所述第二部分期间超过阈值在所述至少一个切换周期的所述第二部分期间将所述第二场效应晶体管的所述接通电阻从第三电阻调整至第四电阻。
9.根据权利要求4所述的切换功率转换器,其中所述驱动器控制电路响应于所述场效应晶体管的漏极到源极电压在所述至少一个切换周期的所述第二部分期间超过阈值在所述至少一个切换周期的所述第二部分期间将所述第二场效应晶体管的所述接通电阻从第三电阻调整至第四电阻。
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