[发明专利]用于内电极的镍粉末及其制备方法以及含有该镍粉末的多层陶瓷电子元件

权利要求书

1.一种用于内电极的镍粉末，所述镍粉末包括：

微晶直径为55至100nm，以及

平均颗粒直径为55至350nm。

2.根据权利要求1所述的镍粉末，其中，所述镍粉末含有的杂质含量为500ppm以下。

3.根据权利要求1所述的镍粉末，其中，所述镍粉末具有的密度为8.5g/cm³以上。

4.根据权利要求1所述的镍粉末，其中，包含在所述镍粉末中的微晶的平均数目为1至2个。

5.一种用于多层陶瓷电容器的内电极的镍粉末的制备方法，该方法包括：

将镍原料进料到反应器中；

在惰性气体气氛下将所述镍原料加热且蒸发；以及

将所蒸发的镍原料冷凝以形成镍粉末。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述镍粉末具有的平均颗粒直径为55至350nm。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述镍粉末的平均颗粒直径通过改变惰性气体的种类或蒸发镍原料的温度来控制。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述镍原料的加热和蒸发通过使用等离子体来实施。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述镍粉末含有的杂质含量为500ppm以下。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述镍粉末具有的密度为8.5g/cm³以上。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，包含在所述镍粉末中的微晶的平均数目为1至2个。

12.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：

陶瓷体；

在所述陶瓷体的外表面上形成的外电极；以及

在所述陶瓷体内部形成的电连接到所述外电极上且含有微晶直径为55至100nm以及平均颗粒直径为55至350nm的镍粉末的内电极。

13.根据权利要求12所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述镍粉末含有的杂质含量为500ppm以下。

14.根据权利要求12所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述镍粉末具有的密度为8.5g/cm³以上。

15.根据权利要求12所述的多层陶瓷电子元件，其中，包含在所述镍粉末中的微晶的平均数目为1至2个。