[发明专利]半导体集成电路和使用它的光传感器设备

权利要求书

1.半导体集成电路，其特征在于，包括：

动作电路，具有电路常数，并且进行与所述电路常数对应的动作；

元件阵列，内置被排列的多个元件，并且根据元件选择信息而将一部分元件选择性地截止，从而基于所述多个元件的输出，修正所述动作电路的电路常数；

调整信息生成电路，内置多个熔丝，并且生成并输出以与各熔丝对应的比特的序列表示了所述多个熔丝的各个熔丝是否被熔断的调整信息；以及

变换电路，将从所述调整信息生成电路输出的所述调整信息的比特序列，变换为以与各元件对应的比特的序列表示了是否将所述元件阵列中的所述多个元件的各个元件截止的所述元件选择信息，

分配表示所述调整信息生成电路所内置的所述熔丝的熔断根数是可取的熔断根数中最少根数的调整信息，作为所述动作电路的特性值呈现该特性值的出现频度分布中的平均值的情况下的所述调整信息，

分配表示所述调整信息生成电路所内置的所述熔丝的熔断根数为次于所述最少根数的根数的调整信息，作为所述特性值进入所述出现频度分布中的平均值±2×(标准偏差)的范围的情况下的所述调整信息。

2.权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述元件阵列中内置的所述多个元件串联地排列，

将通过所述元件阵列中没有被截止的元件的组合所得的多个合成物性值以升序排列或降序排列的情况下的中心值，与所述出现频度分布中的平均值关联，并且将呈现比所述中心值小的值或大的值的各合成物性值，根据所述出现频度分布的偏差而与比所述出现频度分布的平均值小的所述特性值关联，另一方面，将呈现比所述中心值大的值或小的值的各合成物性值，根据所述出现频度分布的偏差而与比所述出现频度分布的平均值大的所述特性值关联，

所述变换电路的所述变换如下进行：

将表示所述熔丝的熔断根数为所述最少根数的调整信息变换为可以选择所述截止元件的组合的所述元件选择信息，以使所述调整信息成为所述多个合成物性值的中心值，

将表示所述熔丝的熔断根数为次于所述最少根数的根数的调整信息变换为可以选择所述截止元件的组合的所述元件选择信息，以使所述调整信息成为根据所述出现频度分布的偏差而与进入所述出现频度分布中的平均值±2×(标准偏差)的范围的所述特性值关联的所述合成物性值。

3.权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

从所述调整信息生成电路输出的所述调整信息的分配如下进行：

分配表示所述调整信息生成电路所内置的所述熔丝的熔断根数为0根的调整信息，作为所述特性值呈现所述出现频度分布中的平均值的情况下的所述调整信息，

分配对于呈现所述平均值的情况下的所述调整信息分配的调整信息中连续的调整信息，作为在所述特性值进入从所述出现频度分布中的平均值到平均值+2×(标准偏差)的范围和从平均值到平均值-2×(标准偏差)的范围的其中一个的情况下的所述调整信息，

分配对于呈现所述平均值的情况下的所述调整信息、以及进入从平均值到平均值+2×(标准偏差)的范围和从平均值到平均值-2×(标准偏差)的范围的所述一方的情况下的所述调整信息所分配的调整信息的最高位比特反转所得的调整信息，作为在所述特性值进入从所述出现频度分布中的平均值到平均值+2×(标准偏差)的范围和从平均值到平均值-2×(标准偏差)的范围的另一个的情况下的所述调整信息。

4.权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述变换电路的所述变换如下进行：

表示所述调整信息生成电路所内置的所述熔丝的熔断根数为0根的调整信息变换为可以选择所述截止的元件的组合的所述元件选择信息，所述截止的元件的组合使所述元件阵列中的所述元件的合成物性值为多个合成物性值的中心值，

表示所述熔丝的熔断根数为0根的调整信息中连续的调整信息，变换为可以选择所述截止的元件的组合的所述元件选择信息，以使所述调整信息成为根据偏差而与从所述出现频度分布中的平均值到平均值+2×(标准偏差)的范围和从平均值到平均值-2×(标准偏差)的范围的所述一方关联的所述合成物性值，

反转了表示所述熔丝的熔断根数为0根的调整信息和该调整信息上连续的调整信息的最高位比特所得的调整信息，变换为可以选择所述截止的元件的组合的所述元件选择信息，以使所述调整信息成为根据偏差而与从所述出现频度分布中的平均值到平均值+2×(标准偏差)的范围和从平均值到平均值-2×(标准偏差)的范围的所述另一方关联的所述合成物性值。