[发明专利]一种功率放大器有效
申请号: | 201210405331.4 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102904535B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 李琛 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反相器组 第一级 功率放大器 方波信号 输出端 控制开关切换 发射机 输出端相连 输出 二级单元 放大信号 功率发射 依次串接 整形 频谱 耦接 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,包括:
第一级单元,其包括依次串接的多个反相器组,每一所述反相器组包括多个依次串接的反相器;每一所述反相器组的输出端与所述第一级单元的输出端相连,其中相邻所述反相器组之间具有第一控制开关,每一所述反相器组与所述第一级单元的输出端之间具有第二控制开关,每一所述反相器组输出固定频率的方波信号,所述第一控制开关与所述第二控制开关切换所述多个反相器组的工作状态,以输出不同频率的方波信号;以及
第二级单元,与所述第一级单元的输出端相耦接,对所述第一级单元传来的所述方波信号进行整形以产生放大信号。
2.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第一控制开关与所述第二控制开关切换所述多个反相器组的工作状态,使得依次串接的所述多个反相器组形成环形振荡器以输出所述方波信号,所述环形振荡器具有奇数个所述反相器。
3.根据权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,所述反相器包括NMOS管及PMOS管;其中,所述NMOS管的栅极和所述PMOS管的栅极连接作为其输入端,所述NMOS管的漏极和所述PMOS管的漏极连接作为其输出端,所述PMOS管的源极接电源,所述NMOS管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述第二级单元包括依次串接的第一反相器与第二反相器,所述第一反相器包括两个第一电容、第一NMOS管及第一PMOS管;其中,所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极连接作为其输出端,所述第一PMOS管的源极接电源,所述第一NMOS管的源极接地,由所述第一级单元传来的所述方波信号分别通过所述第一电容传送到所述第一PMOS管的栅极及所述第一NMOS管的栅极;所述第二反相器包括两个第二电容、第二NMOS管及第二PMOS管;其中,所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接作为其输出端,所述第二PMOS管的源极接电源,所述第二NMOS管的源极接地,所述第一反相器的输出信号分别通过所述第二电容传送到所述第二PMOS管的栅极及所述第二NMOS管的栅极。
5.根据权利要求4所述的功率放大器,其特征在于,所述第一级单元的电源与所述第二级单元的电源为两个分离的不同电源,所述第一级单元的接地端与所述第二级单元的接地端分开。
6.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第二级单元产生所述放大信号以驱动片外发射天线的阻抗。
7.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第一控制开关与所述第二控制开关根据开关控制信号打开或关闭。
8.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述功率放大器为D类功率放大器。
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