[发明专利]一种通孔结构的制作方法

权利要求书

1.一种通孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：在衬底上形成通孔结构；

步骤S02：对所述的通孔结构进行圆化处理，增大所述的通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；

步骤S03：在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；

步骤S04：在所述的圆化通孔结构内部填充铜。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔结构的直径为5-10μm,所述的通孔结构的深度为50-100μm。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S02中的圆化处理，是采用物理轰击的方法对所述的通孔结构的顶部区域进行刻蚀，形成所述圆化通孔结构。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述圆化通孔结构的顶部的刻蚀宽度为所述通孔结构的通孔直径的5%-8%，其中所述的刻蚀宽度为从所述通孔结构顶部的通孔边界到所述圆化通孔结构顶部的通孔边界的距离。

5.根据权利要求3所述的制作方法， 其特征在于，所述的圆化处理是在物理气相沉积刻蚀腔内进行的。

6.根据权利要求5所述的制作方法， 其特征在于，所述的圆化处理的参数为：偏压功率为200-800W,侧部功率为200-800W，氩气流量5-20sccm，压力为2-5mTorr，轰击时间为5-20秒。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述的圆化处理的参数为：偏压功率为400W、600W或800W；侧部功率功率为400W、600W或800W；氩气流量为8 cssm、10 cssm或15cssm；压力为2 mTorr、3 mTorr或4 mTorr。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S03中，所采用的淀积方法是化学气相沉积法。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所采用的填充方法是电镀法。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S04中还包括采用化学机械平坦化法去除所述的圆化通孔结构的通孔外部的衬底表面区域的介质层、阻挡层、籽晶层和填充的铜，直至所述的填充的铜的顶部与所述的圆化通孔结构的通孔外部的衬底表面在同一平面上。

11.根据权利要求书1所述的制作方法，其特征在于，所述的介质层的材料为氧化硅或氮化硅。