[发明专利]一种真空控制系统有效
| 申请号： | 201210405325.9 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102903655B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 任大清 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 控制系统 | ||
1.一种真空控制系统，应用于半导体器件制造，其包括工作腔室，真空泵以及第一隔离阀，所述第一隔离阀连接于所述工作腔室与所述真空泵之间，其特征在于，所述真空控制系统还包括：
储能腔室，与所述第一隔离阀并联连接于所述工作腔室与所述真空泵之间；
第二隔离阀，连接于所述储能腔室与所述工作腔室之间；
第三隔离阀，连接于所述储能腔室与所述真空泵之间；以及
控制单元，与所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀相连，控制所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。
2.根据权利要求1所述的真空控制系统，其特征在于，所述真空控制系统还包括检测单元，连接所述工作腔室以及所述控制单元，用于检测所述工作腔室的真空状态并产生检测信号，所述控制单元依据所述检测信号控制所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。
3.根据权利要求2所述的真空控制系统，其特征在于，所述检测单元连接所述储能腔室，用于检测所述工作腔室与所述储能腔室的真空状态并产生所述检测信号。
4.根据权利要求1所述的真空控制系统，其特征在于，所述控制单元包括时间延迟单元，并通过所述时间延迟单元控制所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。
5.根据权利要求1所述的真空控制系统，其特征在于，所述第一隔离阀、第二隔离阀及第三隔离阀为气动阀。
6.根据权利要求1所述的真空控制系统，其特征在于，还包括工作腔室气动阀，连接所述工作腔室与所述控制单元，所述控制单元控制所述工作腔室气动阀打开以对所述工作腔室充气。
7.根据权利要求1所述的真空控制系统，其特征在于，所述工作腔室、真空泵及储能腔室之间均通过导通管连通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
