[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS压阻式压力传感器，包括应变膜和压敏电阻，其特征在于，所述应变膜的正面边缘分布有岛结构，所述压敏电阻位于所述岛结构上。

2.如权利要求1所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于：所述应变膜和所述岛结构的材质为硅。

3.如权利要求1或2所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于：所述岛结构在靠近应变膜边缘位置处尺寸小，在远离应变膜边缘位置处尺寸大。

4.如权利要求3所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于：所述岛结构为“凸”字形或梯形。

5.如权利要求1或2所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于：所述应变膜为方形，其边线中点处各分布一个岛结构，每个岛结构上分布一组压敏电阻。

6.如权利要求5所述的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于：每组压敏电阻包含4个压敏电阻条，并对称分布于岛结构上靠近应变膜边缘位置处。

7.一种MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其步骤包括：

1)在基片正面的边缘通过离子注入的方式制作压敏电阻以及重掺杂接触区；

2)在基片正面制作引线孔和金属引线；

3)在基片正面通过光刻定义岛结构的形状，然后制作应力集中的岛结构；

4)在基片正面涂胶进行保护，在基片背面光刻背腔区域并刻蚀出背腔腐蚀窗口，然后通过各向异性腐蚀制作应变膜；

5）将基片与玻璃片键合，然后划片，制成压力传感器芯片。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述晶片为单晶硅片或SOI硅片。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：通过干法刻蚀或者湿法腐蚀的方法制作所述岛结构。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述干法刻蚀为RIE刻蚀，所述湿法腐蚀为KOH溶液各向异性腐蚀或者HNA溶液各向同性腐蚀。