[发明专利]切断电弧的方法以及为设备提供抗电压冲击的方法和装置有效
申请号: | 201210404444.2 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103066555B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 文森特·克勒弗纳 | 申请(专利权)人: | ABB法国公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 魏金霞,黄霖 |
地址: | 法国莱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切断 电弧 方法 以及 设备 提供 电压 冲击 装置 | ||
1.一种用于切断形成在两个主电极之间的第一电弧的切断方法,所述切断方法包括:
使形成的所述第一电弧朝向位于所述两个主电极(24,28)之间的中间位置的中间电极(26)转移;
将形成的所述第一电弧(62)分离成位于所述两个主电极(24,28)分别与所述中间电极(26)之间的两个二次电弧(64,68),常开的半导体开关将所述中间电极(26)连接至所述两个主电极中的一个(24);
闭合所述半导体开关,以便熄灭所述两个二次电弧(64,68)中的位于通过所述半导体开关连接的所述中间电极(26)与所述两个主电极中的一个(24)之间的一个二次电弧(64);
断开所述半导体开关,以便熄灭所述两个二次电弧(64,68)中的另一个二次电弧(68)。
2.如权利要求1所述的切断方法,所述切断方法包括在所述形成的第一电弧(62)分离成所述两个二次电弧(64,68)之后的暂停,以便防止在闭合所述半导体开关时电弧在所述两个主电极(24,28)之间重新形成。
3.如权利要求1或2所述的切断方法,所述切断方法包括在闭合所述半导体开关之后的暂停,以便防止在断开所述半导体开关时熄灭的电弧在所述两个主电极中的一个(24)与所述中间电极(26)之间重新形成。
4.一种用于为电气设备提供抗瞬时电压冲击保护的方法,所述方法在下述情况下根据权利要求1至3中任一项所述的切断方法而应用电弧的切断,所述情况即:瞬时电压冲击出现在要被保护的所述电气设备从而造成第一电弧(62)形成在两个主电极(24,28)之间,所述两个主电极(24,28)连接至要被保护的所述电气设备。
5.如权利要求4所述的方法,要被保护的所述电气设备是连接至低压配电网的电气设备。
6.如权利要求5所述的方法,要被保护的所述电气设备是利用直流电流运行的电气设备。
7.如权利要求6所述的方法,所述电气设备是用于光伏发电的设备。
8.一种用于为电气设备提供抗瞬时电压冲击保护的装置,包括:
两个连接端子(94,98),所述两个连接端子(94,98)用于将所述装置连接至要被保护的所述电气设备;
第一主电极(24)和第二主电极(28),所述第一主电极(24)和所述第二主电极(28)分别连接至所述两个连接端子(94,98)中的相应一个;
中间电极(26),所述中间电极(26)位于所述第一主电极(24)与所述第二主电极(28)之间的中间位置;
半导体开关,所述半导体开关常开,所述半导体开关将所述中间电极(26)连接至所述第一主电极(24);
控制电路(78),所述控制电路(78)用于控制所述半导体开关,所述控制电路设置成在形成于所述第一主电极(24)与所述第二主电极(28)之间的第一电弧(62)通过所述中间电极(26)而分成两个二次电弧(64,68)之后相继地确保所述半导体开关的闭合以及随后的所述半导体开关的断开。
9.如权利要求8所述的装置,其中,所述半导体开关是绝缘栅双极晶体管或金属氧化物栅场效应晶体管。
10.如权利要求8或9所述的装置,其中,所述控制电路确保在所述第一电弧通过所述中间电极而分成所述两个二次电弧与所述半导体开关的闭合之间、和/或在所述半导体开关的闭合与所述半导体开关的断开之间的暂停。
11.如权利要求8或9所述的装置,其中,所述第一主电极(24)、所述中间电极(26)和所述第二主电极(28)被固定,所述第一主电极(24)和所述第二主电极(28)从第一侧(P)至第二侧(D)彼此面对地定位,并且形成火花间隙;并且,所述中间电极(26)从所述第二侧(D)在所述第一主电极(24)与所述第二主电极(28)之间部分地延伸。
12.如权利要求11所述的装置,包括用于在瞬时电压冲击出现在要被保护的所述电气设备的情况下在所述第一主电极(24)与所述第二主电极(28)之间触发电弧的触发单元(22),所述触发单元(22)包括位于所述所述第一主电极(24)和所述第二主电极(28)的所述第一侧(P)的电弧触发电极。
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