[发明专利]一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置有效
| 申请号： | 201210403646.5 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102903796A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李秉霖;姜言森;任现坤;张春艳;程亮;贾河顺;马继磊;孙继峰 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/12 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 rie 装置 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，包括反应室、气体管道、喷淋装置，其特征在于，喷淋装置位于反应室的顶部，反应气体通过气体管道由喷淋装置进入反应室，气体管道上设置有流量控制器，反应室中还设有反应离子挡板，置于需制绒硅片的正面上方。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板位于硅片正面上方0-100cm。
3. 根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板位于硅片正面上方0.01-10cm。
4. 根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板位于硅片正面电池主栅区域正上方，形状与电池主栅区域的形状一致。
5. 根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：遮挡在硅片电池主栅区域上方的反应离子挡板的宽度为0-30cm。
6. 根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：遮挡在硅片电池主栅区域上方的反应离子挡板的宽度为0.01-5cm。
7. 根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板为至少一个，反应离子挡板之间相互平行。
8. 根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板由耐腐蚀材料制成。
9. 根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板由石墨制成。
10. 根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于：反应离子挡板由耐腐蚀的陶瓷材料、金属材料或高分子材料的其中一种或几种制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
