[发明专利]锰掺杂铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201210403434.7 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102924082A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 裘进浩;杜建周;朱孔军;季宏丽 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C04B35/491 | 分类号: | C04B35/491;C04B35/622 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 唐循文 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 锆钛酸铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种压电陶瓷,特别是涉及锰掺杂铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
1880年代,由皮尔.居里(Piere-Curie)和杰克斯.居里(Jacques-Curie)兄弟首先发现电气石的压电效应,从此开始了压电学的历史。压电材料及其应用取得划时代的进展归咎于第二次世界大战期间BaTiO3压电陶瓷的发现和应用。BaTiO3陶瓷压电效益较强,但是存在居里温度不高(约120℃)、难以烧结、室温附近存在相变、频率稳定性欠佳等缺点。1952年,美国B.贾菲(B.Jaffe)等人发现了比BaTiO3压电性能更优异的锆钛酸铅(Pb[ZrxTi1-x]O3,简写为PZT)二元系压电陶瓷,极大的促进了压电材料发展和压电器件的应用。PZT因其优良的压电性能,温度稳定性和事件稳定性好以及组分可调节等优点,长期以来占据压电领域主要市场。为进一步改善PZT系压电陶瓷的性能,以满足现代微电子、精密制造、驱动与传感等领域应用需求,开展了在PZT二元系中固溶其他化合物的三元系压电陶瓷研究,如铌镁酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN)、铌镍酸铅Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 (PNN)、铌锌酸铅Pb(Zn1/3Nb2/3)O3(PZN)等弛豫型铁电体。
Pb[(Ni1/3Nb2/3)x(ZryTi1-y)1-x]O3 (PNN-PZT)体系压电陶瓷作为一种三元系弛豫型压电陶瓷,它是由弛豫型铁电体PNN和正常铁电体PZT所形成的固溶体。1965年,E.A.Buyanova等最早开展有关PNN-PZT体系研究,由于该体系陶瓷具有较高的介电常数(εr)、压电常数(d33)、机电耦合系数(kp),较低烧结温度以及宽相变范围等优良性能,已经成为压电陶瓷领域重要的研究和应用对象。然而,PNN-PZT体系压电陶瓷存在机械品质因数(Qm)较低、矫顽场(Ec)小、烧结过程易产生焦绿石相等缺点,限制了该体系材料应用范围。
发明内容
解决的技术问题:本发明提供了一种机械品质因数较高、压电和铁电性能优异的锰掺杂铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法。
技术方案:本发明提供了一种锰掺杂铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷,其组成为Pb[(Ni1/3Nb2/3)x(ZryTi1-y)1-x]O3+zM,式中x、y、z表示摩尔含量,M为锰或锰的氧化物,其中0.0<x<0.9,0.0<y<0.8,0.0<z<0.3。
作为优选方案,本发明提供的锰掺杂铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷,其组成为Pb[(Ni1/3Nb2/3)x(ZryTi1-y)1-x]O3+zM,其中0.3<x<0.7,0.2<y<0.6,0.0<z<0.05。
本发明提供的锰掺杂铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷,所述锰为纯Mn;所述锰的氧化物为MnO、Mn2O3、MnO2、MnO3、Mn2O7、MnCO3中的一种或其组合。
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