[发明专利]LED的量子阱结构及其生长方法无效
| 申请号： | 201210403280.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102881790A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 于斌;王耀国;郭丽彬 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 量子 结构 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体发光二极管量子阱结构，包括：
浅垒层，其材料为氮化镓；
浅阱层，其材料为氮化铟稼合金；
量子垒层，其材料为氮化铟稼合金；和
量子阱层，其材料为氮化铟稼合金。
2.如权利要求1所述的半导体发光二极管量子阱结构，其中，所述浅垒层、浅阱层、量子垒层和量子阱层组成的四层结构顺序排列有多个。
3.如权利要求2所述的半导体发光二极管量子阱结构，其中，所述顺序排列的四层结构为1-12个。
4.如权利要求1所述的半导体发光二极管量子阱结构，其中，浅阱层的组分及厚度设置为使得浅阱层中的电子的能级与量子阱层中的高激发能级共振。
5.一种如权利要求1所述的半导体发光二极管量子阱结构的生长方法，包括：采用一个浅垒层+一个浅阱层+一个量子垒层+一个量子阱层的结构的交替生长。
6.如权利要求5所述的半导体发光二极管量子阱结构的生长方法，其中，将浅阱层的生长温度控制在低于量子垒层生长温度10摄氏度的范围，从而降低应力。
7.如权利要求5所述的半导体发光二极管量子阱结构的生长方法，其中，在量子垒层中掺杂铟和铝，从而降低结构中的极化效应、提高晶体质量。
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