[发明专利]一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，制备梳状交叉电极

步骤1.1，在纯氧环境下用真空炉在面积为3cm×3cm-5cm×5cm的单晶硅衬底上沉积一层氧化硅绝缘层，再用光刻机在所述绝缘层上涂一层光刻胶；

步骤1.2，将梳状交叉电极模板与所述光刻胶通过接触式曝光使得梳状交叉电极位置对应的光刻胶剥落；

步骤1.3，在氧化硅绝缘层表面溅射一层200-300nm的铬膜，在铬膜上再溅射一层80-100nm的金膜，之后将整个衬底置入到酒精中使未曝光的光刻胶剥落，从而形成铬-金梳状交叉电极；

步骤2，制备氧化锡纳米线气体传感器

将活性碳和氧化锡粉末以质量比1:2-4的比例混合放入小石英管中,然后在离混合粉末1cm处放置上述带铬-金梳状交叉电极的衬底，接着将此小石英管置于大石英管中，再一起放入真空炉中抽真空，然后通入氮气，升温至900-950℃保温1-2h，冷却后，附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上的灰白色棉絮状物质即为氧化锡纳米线，其附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上形成氧化锡纳米线气体传感器。