[发明专利]发光二极管光电特性量测装置在审
| 申请号： | 201210402060.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103777127A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄明宏;曾培翔;施佩秀;尤家鸿;黄泯舜 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01M11/02 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 光电 特性 装置 | ||
1.一发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于，该发光二极管光电特性的量测装置包括：
一容器，该容器具有一光输入口及一光输出口；
一量测模块，该量测模块与该容器的光输出口连接；
一试片承载台，位于该容器下方且可承载待测的发光二极管，其中该试片承载台表面具有相对于待测发光二极管产生的光通量大于50%的反射率；及
一光聚集单元，位于该容器与该试片承载台之间，其中该光聚集单元内壁具有相对于待测发光二极管产生的光通量大于50%的反射率。
2.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：更包括一电源供应器，以提供该待测的发光二极管所需的电流或电压。
3.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该试片承载台包括一承载体及形成于承载体上的一薄层，其中该薄层是由对待测发光二极管产生的光通量具有大于50%反射率的材料所组成。
4.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该光聚集单元包括一本体及形成于本体内壁的一薄层，其中该薄层是由对待测发光二极管产生的光通量具有大于50%反射率的材料所组成。
5.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该容器为一中空球体单元。
6.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该待测的发光二极管为未封装的晶圆形式或晶粒形式。
7.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：更包括用以量测该待测的发光二极管的两只探针。
8.如权利要求7所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该光聚集单元更包括以供该探针穿过量测之用的两个开孔。
9.如权利要求7所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该探针折角成一固定角度。
10.如权利要求9所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该探针折角角度介于30度至150度之间。
11.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该量测模块更包括一分光仪。
12.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该光聚集单元于量测时完全包覆该试片承载台。
13.如权利要求1所述的发光二极管光电特性的量测装置，其特征在于：该光聚集单元于量测时完全包覆该待测的发光二极管。
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