[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210399887.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103247607A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 冯辉庆;李承鸿;郑惟纲;潘锡明 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板；及
若干个发光二极管芯片，位于所述基板上，所述发光二极管芯片每组的数量为18～25颗；
其中，所述发光二极管芯片为交互错位排列，使每个芯片侧边能不受相邻芯片遮蔽而出光。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片的电压为3.1～3.5伏特。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片的芯片发光区域覆盖所述基板60%～80%的表面积。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片之间为串联连接。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片经串联后的总电压为70～75伏特。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片具有一透明导电层，位于所述发光二极管芯片的顶部。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片具有一电流阻断层，位于所述透明导电层的下方。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片具有一光学反射层，位于所述发光二极管芯片的底部。
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