[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区包括NMOS的栅极结构和偏移侧壁层，所述PMOS区包括PMOS的栅极结构和偏移侧壁层；

步骤S102：对所述半导体衬底进行LDD处理；

步骤S103：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层，所述锗硅遮蔽层覆盖整个所述半导体衬底；

步骤S104：对所述半导体衬底进行干法刻蚀以在所述PMOS的栅极结构的两侧形成凹槽；

步骤S105：对所述半导体衬底进行退火处理；

步骤S106：对所述半导体衬底进行湿法刻蚀以改善所述凹槽的形状，其中，改善形状后的所述凹槽为sigma型；

步骤S107：在所述凹槽中形成锗硅层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS的栅极结构和PMOS的栅极结构均包括：多晶硅层和位于其上的栅极硬掩模。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在所述半导体衬底上形成第一图形化的光刻胶，所述第一图形化的光刻胶覆盖所述PMOS区；

步骤S1022：对所述NMOS区进行轻掺杂处理，在所述NMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成轻掺杂区；

步骤S1023：去除所述第一图形化的光刻胶；

步骤S1024：在所述半导体衬底上形成第二图形化的光刻胶，所述第二图形化的光刻胶覆盖所述NMOS区；

步骤S1025：对所述PMOS区进行轻掺杂处理，在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成轻掺杂区；

步骤S1026：去除所述第二图形化的光刻胶。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述步骤S103中，所述锗硅遮蔽层包括氧化硅层和位于其上的氮化硅层。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括：

在所述半导体衬底上形成第三图形化的光刻胶，所述第三图形化的光刻胶覆盖所述NMOS区；

对所述半导体衬底进行干法刻蚀，在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上刻蚀出凹槽；

去除所述第三图形化的光刻胶。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，所述退火处理所采用的方法为：尖峰退火，或者尖峰退火加激光退火。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，当所述退火处理采用尖峰退火时，所采用的退火温度为900~1000℃；当所述退火处理采用尖峰退火加激光退火时，尖峰退火的退火温度为900~1000℃，激光退火的退火温度为1000~1300℃。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106中，形成锗硅层的方法为外延生长工艺。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述外延生长工艺为低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、超高真空化学气相沉积、快速热化学气相沉积和分子束外延中的一种。

10.如权利要求1至9任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间，还包括对所述进行LDD处理后的半导体衬底进行退火处理的步骤。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述进行LDD处理后的半导体衬底进行退火处理的步骤中，所采用的退火处理的方法为尖峰退火，或者尖峰退火加激光退火。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述对所述进行LDD处理后的半导体衬底进行退火处理的步骤 中，当所述退火处理采用尖峰退火时，所采用的退火温度为900~1000℃；当所述退火处理采用尖峰退火加激光退火时，尖峰退火的退火温度为900~1000℃，激光退火的退火温度为1000~1300℃。

13.如权利要求1至9任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107之后，还包括如下步骤：

步骤S108：去除所述锗硅遮蔽层；

步骤S109：形成主侧壁层、所述NMOS的源极、漏极以及所述PMOS的源极和漏极；

步骤S110：在所述NMOS和所述PMOS的源极与漏极的上方形成金属硅化物；

步骤S111：形成接触孔刻蚀阻挡层、层间介电层、金属栅极、接触孔和金属层。