[发明专利]双平衡式三倍频器有效
| 申请号： | 201210398919.1 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102868367A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李凌云;叶禹;孙晓玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03B19/00 | 分类号： | H03B19/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平衡 倍频器 | ||
1.一种双平衡式三倍频器，其特征在于，所述双平衡式三倍频器至少包括：
90°第一输入电桥，其工作在基波频段；
分别连接所述90°第一输入电桥的一个输出端的两个90°第二输入电桥，均工作在基波频段；
分别连接一个90°第二输入电桥的一个输出端的4个倍频电路；
分别与两个倍频电路输出端连接的两个-90°输出电桥，均工作在三次谐波频段；以及
连接两个-90°输出电桥输出端的合路器。
2.根据权利要求1所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：所述90°第一输入电桥与所述90°第二输入电桥结构相同。
3.根据权利要求1或2所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：所述90°第一输入电桥采用90° 的 3dB 输入电桥。
4.根据权利要求3所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：所述90°第一输入电桥包括3dB Lange Coupler。
5.根据权利要求1所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：倍频电路采用工作在 C 类功放区域的MOSFET 单管电路。
6.根据权利要求1所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：所述-90°输出电桥采用-90° 的 3dB 输出电桥。
7.根据权利要求6所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：所述-90°输出电桥包括3dB Lange Coupler。
8.根据权利要求1所述的双平衡式三倍频器，其特征在于：所述合路器包括威尔金森功分器。
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