[发明专利]一种半导体器件的测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件的测试结构，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区；

测试结构区，位于所述半导体衬底上，所述测试结构区包括至少两个测试件，其中至少一第一测试件呈梳状结构；至少一第二测试件呈梳状结构或者蛇形弯曲结构，并且所述两个测试件相对交错设置，并与所述有源区相连接；

虚拟金属区，位于所述测试结构区的周围，用于聚集湿度。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构区包含两梳状结构的测试件，每个测试件具有多个导电梳齿，所述导电梳齿通过通孔与所述有源区连接。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述两个梳状结构的测试件位于同一平面上，所述两个测试件的导电梳齿相互交错，形成梳状对梳状的测试组件。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构区包括至少两组所述测试件，所述两组所述测试件为分别位于上下两个平面上的上测试组件和下测试组件，所述上测试组件与所述下测试组件通过通孔相连接，且所述上测试组件中的测试件与所述下测试组件中相应的测试件左右相错设置。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述上测试组件中第一测试件与所述下测试组件中第一测试件水平方向上错开一个梳齿，所述上测试组件中第二测试件与所述下测试组件中第二测试件水平方向上错开一个梳齿。

6.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述上测试组件中第一测试件中的梳齿与所述下测试组件中第二测试件中的梳齿相对设置且上下重叠，所述上测试组件中第二测试件中的梳齿与所述下测试组件中第一测试件中的梳齿相对设置且上下重叠。

7.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构区包含位于同一平面的一个梳状结构的测试件和一个蛇形弯曲结构的测试件，两测试件相对设置，所述梳状结构测试件具有多个导电梳齿，所述蛇形弯曲的测试件弯曲环绕所述导电梳齿，所述导电梳齿嵌于所述蛇形弯曲的测试件中。

8.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述两测试件的一端分别设置有金属端子，用于连接测试仪器进行检测。

9.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括位于所述测试结构区与虚拟金属区之间的密封环，所述具有密封环的测试结构用于与不具备密封环的测试结构作对比，来检测所述密封环的湿度保护功能。

10.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述密封环与所述检测件之间的距离为50-500um。

11.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试件周围设有若干方形虚拟金属块。

12.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述虚拟金属区的宽度为10-1000um。

13.一种基于权利要求1-12之一所述的测试结构的测试方法，其特征在于，分别电连接所述两测试件，测试两测试件之间的电容，以此确定所述器件上是否存在因腐蚀产生的空隙，来衡量制备工艺中存在湿度腐蚀的可能性。

14.根据权利要求13所述方法，其特征在于，所述方法用于检测由栅击穿电压、与时间相关电介质击穿引起的空隙，以及两测试件之间存在的空隙。