[发明专利]一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型

权利要求书

1.一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，其特征在于，在标准的PSP模型基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与尺寸无关的平带电压V_fb0和零电场下迁移率μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压V_tsat和饱和漏极电流I_dsat的变化特性的方法。

2.如权利要求1所述的应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，其特征在于，所述版图参量为设计的版图尺寸，包括：相邻栅极间距dps，相邻接触孔与栅极间间距dpcs和浅沟槽长度dsts。

3.如权利要求2所述的应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，其特征在于，所述影响系数包括：表征几何尺寸参量的MOSFET的沟道长度L和MOSFET的沟道长度W分别对所述V_fb0影响程度的参数：dvwl_a1、dvwl_a2、dvwl_a3、dvwl_a4、dvwl_a5、dvwl_a6、dvwl_a7、dvwl_a8、dvwl_a9；表征几何尺寸参量的L和W分别对所述μ0影响程度的参数：muwl_a1、muwl_a2、muwl_a3、muwl_a4、muwl_a5、muwl_a6、muwl_a7、muwl_a8、muwl_a9；表征版图参量的dps、dpcs、dsts分别对所述V_tb0影响程度的参数：dvdps_a、dvdps_b、dvdps_c、dvdps_d、dvdpcs_a、dvdpcs_b、dvdpcs_c、dvdpcs_d、dvdpcs_a、dvdpcs_b、dvdpcs_c、dvdpcs_d；表征版图参量的dps、dpcs、dsts分别对所述μ0影响程度的参数：mudps_a、mudps_b、mudps_c、mudps_d、mudpcs_a、mudpcs_b、mudpcs_c、mudpcs_d、mudsts_a、mudsts_b、mudsts_c、mudsts_d。

4.如权利要求3所述的应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，其特征在于，所述确定V_tsat和I_dsat变化特性的方法中还包括由所述实体参数、所述版图参数和所述影响系数的对数、幂函数等运算而产生的第一中间变量mu_dps、mu_dpcs、mu_dsts、dv_dps、dv_dpcs、dv_dsts，所述第一中间变量mu_dps、mu_dpcs、mu_dsts、dv_dps、dv_dpcs、dv_dsts由以下公式决定：

mu_dps＝mudps_a·[log(dps)]^mudps_b+mudps_c·log(dps)+mudps_d

mu_dpcs＝mudpcs_a·[log(dpcs)]^mudpcs_b+mudps_c·log(dpcs)+mudpcs_d

mu_dsts＝mudsts_a·[log(dsts)]^mudsrs_b+mudsts_c·log(dsts)+mudsts_d

dv_dps＝dvdps_a·[log(dps)]^dvdps_b+dvdps_c·log(dps)+dvdps_d

dv_dpcs＝dvdpcs_a·[log(dpcs)]^dvdpcs_b+dvdps_c·log(dpcs)+dvdpcs_d

dv_dsts＝dvdsts_a·[log(dsts)]^dvdss_b+dvdsts_c·log(dsts)+dvdsts_d。