[发明专利]一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种SOI半导体氧化物晶体管的制作方法，包括：

A）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括埋氧化层和位于所述埋氧化层上的硅层；

B）在所述半导体衬底上形成栅极，且在所述栅极两侧的所述硅层中形成浅掺杂区；

C）在所述栅极两侧的所述半导体衬底上形成L形间隙壁；以及

D）在所述栅极两侧形成覆盖部分所述L形间隙壁抬升的源极和漏极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述B）步骤中形成所述浅掺杂区的方法包括：

在所述栅极两侧形成第一间隙壁；

执行浅掺杂离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述硅层中形成所述浅掺杂区；以及

去除所述第一间隙壁。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极上还形成有盖帽层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述L形间隙壁是由氧化物形成的。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述C）步骤中形成所述L形间隙壁的步骤包括：

在所述半导体衬底和所述栅极上形成依次氧化物层和氮化物层；

采用干法刻蚀工艺，以在所述栅极两侧形成间隙壁结构；以及

去除所述间隙壁结构中的刻蚀后的氮化物层，以形成所述L形间隙壁。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述盖帽层是由氮化物形成的，在去除所述氮化物层的过程中去除所述盖帽层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述D）步骤包括：

采用外延生长工艺在所述栅极两侧的所述半导体衬底上形成外延层，所述外延层覆盖所述L形间隙壁的一部分；

在所述L形间隙壁两侧以及部分所述外延层上形成第二间隙壁；以及

执行源漏极离子注入工艺，以形成所述源极和所述漏极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二间隙壁覆盖所述L形间隙壁的侧面。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述源极、所述漏极和所述栅极上形成金属硅化物。

10.一种SOI半导体氧化物晶体管，其特征在于，所述SOI半导体氧化物晶体管是由权利要求1-9中任一所述方法制成的。