[发明专利]封装用片及光半导体元件装置在审

专利信息
申请号: 201210397782.8 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN103066190A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 近藤隆;河野广希;江部悠纪 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;C08L83/04;C08K5/54
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 封装 半导体 元件 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及封装用片及光半导体元件装置,详细而言,涉及用于光学用途的光半导体元件装置、以及用于光半导体元件装置的封装用片。

背景技术

目前,已知能够发出高能量的光的发光装置。

发光装置例如具备:光半导体、安装光半导体的基板、和以封装光半导体的方式形成在基板上的封装材料。发光装置利用光半导体发出光,该光透过封装材料,从而发光。

作为这样的发光装置的封装材料,例如提出了含有有机硅树脂和二氧化硅颗粒的片状光半导体封装材料(例如参照日本特开2011-228525号公报。)。

发明内容

并且,在这样的发光装置中,还期待进一步提高来自光半导体的光的提取效率。

但是,日本特开2011-228525号公报中记载的片状光半导体封装材料的透光率对于满足上述期望而言是不足的。因此,在具备利用日本特开2011-228525号公报中记载的片状光半导体封装材料封装的光半导体的发光装置中,由于片状光半导体封装材料中包含二氧化硅颗粒等的添加剂,从光半导体发出的光的一部分返回到下方而被基板吸收,因此,发光装置的亮度降低(发生亮度损失)。

本发明的目的在于,提供能够抑制亮度损失且可靠性优异的封装用片、及具备被该封装用片封装的光半导体元件的光半导体元件装置。

本发明的封装用片的特征在于,由含有封装树脂和有机硅微粒的封装树脂组合物形成,前述有机硅微粒的配混比率相对于前述封装树脂组合物为20~50质量%。

另外,本发明的封装用片中,适宜的是,前述封装树脂由有机硅树脂组合物形成。

另外,本发明的封装用片中,适宜的是,前述封装树脂组合物还含有荧光体。

另外,本发明的光半导体元件装置的特征在于,其具备:光半导体元件;和由上述封装用片形成的封装前述光半导体元件的封装层。

在本发明的封装用片中,由于封装树脂组合物含有有机硅微粒,因此,与含有其它添加剂的情况相比较透光性优异。

因此,具备被本发明的封装用片封装的光半导体元件的本发明的光半导体元件装置能够充分抑制封装用片的亮度损失。

另外,在本发明的封装用片中,由于封装树脂组合物以特定比率含有有机硅微粒,因此,本发明的光半导体元件装置能够防止渗出,并且能够防止光半导体元件的损伤。

其结果,本发明的光半导体元件装置不仅来自光半导体的光的提取效率优异,而且可靠性优异。

附图说明

图1是表示本发明的封装用片的一个实施方式的制造工序的工序图,

(a)表示准备脱模片的工序,

(b)表示层叠封装树脂层的工序。

图2是表示利用本发明的封装用片的一个实施方式封装光半导体元件来制作光半导体元件装置的工序的工序图,

(a)表示将封装用片配置在基板的上侧的工序,

(b)表示利用封装用片埋设发光二极管的工序,

(c)表示将封装用片压接在基板上以封装光半导体元件的工序,

(d)表示加热封装用片使其固化的工序。

具体实施方式

本发明的封装用片由含有封装树脂和有机硅微粒的封装树脂组合物形成。

具体而言,本发明的封装用片具备由封装树脂组合物形成为大致片状的封装树脂层。

封装树脂包括在光半导体元件的封装中使用的公知的透明性树脂,作为透明性树脂,可列举出:例如有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂等热固性树脂;例如丙烯酸类树脂、苯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂等热塑性树脂等。

这样的封装树脂可以单独使用也可以组合使用。

封装树脂形成为厚度500μm的片状时的波长400nm~700nm的可见光的透光率例如为80%以上、优选为90%以上、进一步优选为95%以上,例如有时也为100%以下。

封装树脂形成为厚度500μm的片状时的波长400nm~700nm的可见光的透光率如果不满足上述下限,则有时不能充分抑制封装用片引起的亮度损失。

封装树脂的透光率利用分光光度计来测定。

封装树脂形成为厚度500μm的片状时的雾度值例如为20以下、优选为10以下,另外,例如超过0。

封装树脂的雾度值如果超过上述上限,则有时不能充分抑制封装用片引起的亮度损失。

封装树脂的雾度值利用雾度计来测定。

封装树脂的折射率(封装树脂为热固性树脂的情况下为固化后的封装树脂的折射率)例如为1.39~1.43、优选为1.40~1.42。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210397782.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top