[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包含：

具有第一导电类型的一第一半导体层；

具有第二导电类型的一第二半导体层，其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；及

一保护层，其覆盖于所述第一半导体层及所述第二半导体层上，其中所述保护层具有经粗化处理的一粗糙表面。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述保护层包含光晶体结构。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述保护层是实质上透明，且其折射率在1.2-2.5之间。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中所述保护层是氧化硅、氮化硅、旋覆式玻璃层(SOG)、环氧树脂(Epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅胶或高分子聚合物。

5.如权利要求1所述的发光装置，还包含一导电层，配置于所述保护层与所述第一半导体层或所述保护层与所述第二半导体层之间。

6.如权利要求1所述的发光装置，还包含一中间层于所述保护层与所述第一及第二半导体层之间。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述保护层的厚度约是在10nm-100μm之间。

8.如权利要求1所述的发光装置，还包含一封装层，覆盖在所述保护层上。

9.一种制造发光装置的方法，包含：

形成具有第一导电类型的一第一半导体层；

形成具有第二导电类型的一第二半导体层，其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；

形成一保护层，其覆盖于所述第一半导体层及所述第二半导体层上；及

粗化所述保护层。

10.如权利要求9所述的方法，其中粗化所述保护层之步骤是藉由蚀刻所述保护层，使形成一粗糙表面。

11.如权利要求10所述的方法，还包含图案化所述保护层，使所述保护层形成光晶体结构。

12.如权利要求10所述的方法，还包含形成一导电层于所述保护层与所述第一半导体层或所述保护层与所述第二半导体层之间。

13.如权利要求9所述的方法，还包含在形成所述保护层之前，形成一中间层于所述保护层与所述第一及第二半导体层之间。

14.如权利要求9所述的方法，还形成一封装层于所述保护层上。