[发明专利]一种MIM电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供基底；

步骤S102：在所述基底上形成下极板金属；

步骤S103：在所述基底上形成电介质层；

步骤S104：在所述电介质层上形成金属层；

步骤S105：对所述金属层进行刻蚀形成上极板金属，其中，所述上极板金属在沿平行于所述下极板金属的各个方向上均延伸至所述下极板金属的边缘的外侧。

2.如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

在所述基底上刻蚀形成凹槽；

在所述凹槽内填充金属；

进行CMP处理，去除所述凹槽中溢出的金属，形成位于所述凹槽内的下极板金属。

3.如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述电介质层的材料为氮化硅。

4.如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述形成金属层的方法为：电镀或者物理气相沉积。

5.如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述步骤S105包括：

在所述金属层上形成一层图案化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述金属层上要形成上极板金属的区域；

通过湿法刻蚀去除所述金属层未被所述图形化的光刻胶覆盖的部分，以形成上极板金属；

剥离掉所述图形化的光刻胶。

6.如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述下极板金属的材料为铜，和/或，所述上极板金属的材料为铜。

7.如权利要求1所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述下极板金属的形状与所述上极板金属的形状一致。

8.如权利要求1~7任一项所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括：

步骤S106：在所述上极板金属上形成金属间介电层，所述金属间介电层在所述上极板金属的正上方形成有过孔；

步骤S107：在所述金属间介电层上形成上层金属层，所述上层金属层通过所述过孔与所述上极板金属相连。

9.如权利要求1~7任一项所述的MIM电容器的制造方法，其特征在于，所述下极板金属与位于其下方的下层金属层通过过孔相连。

10.一种MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器包括：

基底，形成于所述基底上的下极板金属；

形成于所述基底和所述下极板金属上方的电介质层；

形成于所述电介质层上方的上极板金属；

其中，所述上极板金属在沿平行于所述下极板金属的各个方向上均延伸至所述下极板金属的边缘的外侧。

11.如权利要求10所述的MIM电容器，其特征在于，所述电介质层的材料为氮化硅。

12.如权利要求10所述的MIM电容器，其特征在于，所述下极板金属的材料为铜，和/或，所述上极板金属的材料为铜。

13.如权利要求10所述的MIM电容器，其特征在于，所述下极板金属的形状与所述上极板金属的形状一致。

14.如权利要求10~13任一项所述的MIM电容器，其特征在于，所述下极板金属与位于其下方的下层金属层通过过孔相连。

15.如权利要求10~13任一所述的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器还包括位于所述上极板金属上方的金属间介电层以及位于所述金属间介电层上方的上层金属层，其中，所述金属间介电层在所述上极板金属的正上方形成有过孔，所述上层金属层通过所述过孔与所述上极板金属相连。