[发明专利]工作温度可控多芯片组件的集成方法有效

专利信息
申请号: 201210396192.3 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN102881602A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 杨成刚;苏贵东;刘俊 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/48;H01L23/15
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 工作温度 可控 芯片 组件 集成 方法
【权利要求书】:

1. 一种温度可控多芯片组件的集成方法,它是采用包括微型热电致冷、厚膜丝网印刷、厚膜激光调阻、多层低温共烧陶瓷、热信号采集的厚膜热敏电阻的一体化集成技术来制作温度可控多芯片组件;所用多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成,在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带;其特征在于:在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置厚膜热敏电阻,其位置正对温度较敏感的集成电路芯片;在该基片正面进行多芯片三维平面集成,包括导带、阻带、集成电路芯片、小容量电感、电容和微型元器件;在该基片背面进行半导体致冷器的集成,并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔的形式连接到表面键合区。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述陶瓷基片材料为氮化铝陶瓷。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述埋置厚膜热敏电阻的方法是采用丝网印刷的方式,将厚膜电子浆料按规定的图形印刷在陶瓷基片上。

4. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述半导体致冷器的集成,是先制备N型和P型半导体晶粒,再用专用不锈钢夹具将顶层氮化铝陶瓷基片、N型和P型半导体晶粒、底层氮化铝陶瓷基片、合金片按规定位置定位放置并固定,最后在真空合金炉中完成N型和P型半导体晶粒的合金焊接。

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