[发明专利]一种高光电转换率晶体硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种高光电转换率晶体硅太阳能电池，包括晶体硅P-N结、P区背电极，所述的P区背电极与晶体硅P-N结电性连接，晶体硅P-N结之N区表面设置前栅电极，其特征是：所述的前栅电极由电化学沉积形成且与晶体硅P-N结之N区的高导电性金属构成，所述的晶体硅P-N结之N区表面由内至外设置SiO₂层和减反射层。

2.根据权利要求1所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池，其特征是：所述的前栅电极之主电极包括连接晶体硅P-N结之N区的接触层和其外的高导电性金属传导层，高导电性金属传导层由Cu、Ag、Sn中的一种或两种以上组合沉积而成。

3.根据权利要求1所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池，其特征是：所述的前栅电极之细电极位于减反射层之下，所述的减反射层为SiNx或TiO₂和/或SiO₂反射膜层。

4.一种权利要求1所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，将原料硅片依次经过清洗制绒、扩散制成P-N结、去磷硅玻璃与边缘结刻蚀后制备背电极，其特征是：将硅片上的背电极与电解电极、直流电源和电量测量装置连接，并在硅片N区表面敷设栅状遮光板，并将硅片N区置于电解池中的电解液中且正对诱导光源，开启诱导光源，光透过栅状遮光板未遮挡缝隙照在硅片N区并诱导产生光电子，与电解液的金属经电化学沉积于N区表面形成前栅电极，再经高温氧化烧结、电镀、沉积减反射膜后制得高光电转换率晶硅太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述的电解电极为Ni-W-P、Co-W-P、Co-W、Ni-W合金或Co、Ni金属型电极。

6.根据权利要求4所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述的电解液为CoSO₄或NiSO₄电解液，或CoSO₄、NiSO₄分别与Na₂WO₄、Na₃Cit组成的复合电解液。

7.根据权利要求6所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述的电解液为CoSO₄或NiSO₄电解液浓度分别为0.01mol/L～1mol/L，或0.01～0.5mol/L 的CoSO₄或NiSO₄分别与0.01～0.5mol/L的Na₂WO₄、0.02～1mol/L Na₃Cit组成的复合电解液。

8.根据权利要求4所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述的氧化烧结是把硅片置于纯氧气氛或氮氧混合气氛中快速烧结。

9.根据权利要求4所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述的减反射膜采用等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、物理溅射、凝胶溶胶法制备。

10.根据权利要求4所述的高光电转换率晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：所述的前栅电极上至少电镀沉积一层高导电性金属作为电子传导层，高导电性金属为Cu、Ag、Sn的一种或两种以上任意组合。