[发明专利]具有极细间距堆叠的微电子组件

权利要求书

1.一种制造堆叠微电子组件的方法，包括：

提供第一微电子封装，所述第一微电子封装包括第一衬底、导电柱以及导电迹线，所述第一衬底包括第一电介质层，所述导电柱的末端位于所述第一电介质层上方且与所述第一电介质层的表面相距一垂直高度，所述导电迹线沿着所述第一电介质层的所述表面延伸，其中所述导电柱具有沿垂直方向背离所述导电迹线延伸的基底，所述柱与所述迹线形成为一体；

提供第二微电子封装，所述第二微电子封装包括第二衬底、导电可熔块、在所述第二衬底的支撑所述可熔块的表面暴露出来的接触以及导电迹线，所述第二衬底包括第二电介质层，所述导电可熔块的顶点位于所述第二电介质层上方且与所述第二电介质层的表面相距一垂直高度，所述导电迹线从所述接触沿着所述第二电介质层的所述表面延伸；

将微电子元件固定到所述第一或第二衬底中的至少一个的所述表面之一上，使得所述第一和第二电介质层延伸超出所述微电子元件的边缘，所述微电子元件界定从所述第一或第二衬底的所述至少一个的固定了所述微电子元件的所述表面之一延伸的垂直高度；

将所述第一衬底的所述导电柱末端设置成与所述第二衬底的所述可熔块的顶点毗连，且其中每个所述导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于所述微电子元件的垂直高度，并且

然后使所述可熔块回流以使所述柱与所述接触结合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电柱包括在第一行中对准的多个对准柱，所述第一行在一个正交方向上沿着所述第一衬底的表面远离所述第一衬底的面对所述微电子元件的面的部分延伸，所述对准柱设置在所述微电子元件的所述边缘中的一个边缘之外。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述电介质层由聚合物材料构成

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述电介质层是柔性的。

5.根据权利要求2所述的方法，其中柱的高度为50-300微米。

6.一种制造堆叠微电子组件的方法，包括：

提供第一微电子封装，所述第一微电子封装包括第一衬底、导电柱以及导电迹线，所述第一衬底包括第一电介质层，所述导电柱的末端位于所述第一电介质层上方且与所述第一电介质层的表面相距一垂直高度，所述导电迹线沿着所述第一电介质层的所述表面延伸，其中通过蚀刻金属层来形成所述导电柱；

提供第二微电子封装，所述第二微电子封装包括第二衬底、导电可熔块、在所述第二衬底的支撑所述可熔块的表面暴露出来的接触以及导电迹线，所述第二衬底包括第二电介质层，所述导电可熔块的顶点位于所述第二电介质层上方且与所述第二电介质层的表面相距一垂直高度，所述导电迹线从所述接触沿着所述第二电介质层的所述表面延伸；

将微电子元件固定到所述第一或第二衬底中的至少一个的所述表面之一上，使得所述第一和第二电介质层延伸超出所述微电子元件的边缘，所述微电子元件界定从所述第一或第二衬底的所述至少一个的固定了所述微电子元件的所述表面之一延伸的垂直高度；

将所述第一衬底的所述导电柱末端设置成与所述第二衬底的所述可熔块的顶点毗连，且其中每个所述导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于所述微电子元件的垂直高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电柱包括在第一行中对准的多个对准柱，所述第一行在一个正交方向上沿着所述第一衬底的表面远离所述第一衬底的面对所述微电子元件的面的部分延伸，所述对准柱设置在所述微电子元件的所述边缘中的一个边缘之外。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述电介质层由聚合物材料构成

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述电介质层是柔性的。

10.根据权利要求7所述的方法，其中柱的高度为50-300微米。