[发明专利]触控面板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及触控面板及其制备方法。

背景技术

传统的触控面板的感测电极材料较多的采用氧化铟锡(ITO)。近来由于铟矿的来源取得不易以及铟元素的日渐枯竭，使用不同的透明电极来取代氧化铟锡(ITO)成为一个热门的课题。其中使用纳米银丝SNW(Silver Nano-Wire)取代ITO为目前一种可行性的方案。然而，相较于ITO，SNW较易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附着力低，后续加工会存在良率问题。因此，如图1所示，在基板100形成纳米银丝层110之后，会再涂布另外一层保护层120覆盖纳米银丝层110，保护层120可隔绝部分空气，进而提高纳米银丝层110的抗氧化能力。分散于基板100上的纳米银丝层110自身具有一定疏密度，保护层120可通过纳米银丝层110自身的间隙与基板100接触，进而可通过保护层120与基板110较佳的附着力来提高纳米银丝层120在基板110上的附着力。

然而，保护层太厚或太薄，均存在设计上的缺陷：

如果保护层过厚：

在纳米银丝层形成电极图形时，蚀刻工艺中蚀刻液较难渗透保护层对SNW进行蚀刻。

如果保护层太薄：

纳米银丝层的抗氧化能力下降，而且保护层与基板的接合效果亦将减弱，进而导致纳米银丝层在基板上的附着力下降，因此会影响制造后产品的良率。

发明内容

本发明的所要解决的技术问题在于提供一种触控面板及其制备方法，以解决现有技术中单一保护层太厚和太薄存在的问题。

本发明提供一种触控面板，该触控面板包括：一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。

其中，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。

其中，该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。

其中，该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。

其中，该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。

其中，该导接线采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡（ITO），或上述各材料的组合。

其中，该导接孔不贯穿该第一保护层。

其中，该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。

其中，该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线，以及多个沿第二方向排列的第二电极块，且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧，且各第二电极块上的第一保护层420和第二保护层分别形成有导接孔和与导接孔对应的开孔；所述第二保护层上设置有多条第二连接线，各第二连接线通过设置于第二电极块上的导接孔和开孔，电性连接相邻的第二电极块。

其中，所述第二连接线的材料采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡（ITO），或上述各材料之组合。

本发明同时提供一种触控面板的制备方法，包括：步骤1：提供一基板；步骤2：于该基板上形成纳米银丝层；步骤3：于该纳米银丝层上形成一第一保护层；步骤4：对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；步骤5：于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，且该开孔对应于该导接区域；步骤6：于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔；步骤7：于该第二保护层上形成导接线，且该导接线通过该开孔和该导接孔电性连接该导接区域的纳米银丝电极层。

其中，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。

其中，该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。

其中，形成该具有一开孔的第二保护层采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。

其中，该第一保护层上形成该导接孔采用电浆蚀刻的工艺。

其中，该步骤6可采用完全蚀刻的工艺或不完全蚀刻的工艺。