[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入；

形成图案化的第一材料层；

全面性沉积第一间隙壁材料层，并进行回刻蚀，形成位于所述第一材料层侧面上的第一间隙壁；

全面性沉积第二间隙壁材料层，并进行回刻蚀，形成位于所述第一间隙壁的侧面上的第二间隙壁；

全面性沉积第三间隙壁材料层，并进行回刻蚀，形成位于所述第二间隙壁的侧面上的第三间隙壁；

所述第一间隙壁、第二间隙壁、第三间隙壁形成复合间隙壁

去除所述第一材料层；

形成源漏区域；

全面性沉积第二材料层，并进行CMP工艺，暴露出所述复合间隙壁；

去除所述第二间隙壁，形成栅极空洞；

依次沉积栅极绝缘材料层和栅极材料层，并进行CMP工艺，去除部分所述栅极材料层和所述栅极绝缘材料层，使得所述栅极材料层和所述栅极绝缘材料层仅位于所述栅极空洞之内，从而形成栅极和栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成栅极和栅极绝缘层之后，还包括形成源漏区域接触，互连线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述第一材料层之后和形成源漏区域之前，还包括：

形成LDD和Halo区域；

全面性沉积第四间隙壁材料层，并进行回刻蚀，形成位于所述第一间隙壁和第三间隙壁的侧面上的第四间隙壁。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一间隙壁与所述第一材料层的材料不同，所述第三间隙壁的材料与所述第一材料层的材料不同，这样，在去除所述第一材料层的步骤中，所述第一间隙壁、第三间隙壁不会受到损伤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二间隙壁的材料与所述第二材料层、所述第一间隙壁、所述第三间隙壁的材料都不相同，这样，在去除所述第二间隙壁、形成栅极空洞的步骤中，所述第二材料层、所述第一间隙壁、所述第三间隙壁不会受损伤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述第二间隙壁，形成栅极空洞的步骤中，采用湿法腐蚀工艺去除所述第二间隙壁。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二间隙壁的宽度为1-100nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘材料层为高K绝缘材料，所述栅极材料层为金属、金属化合物或者多晶硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行CMP工艺，去除部分所述栅极材料层和所述栅极绝缘材料层步骤中的CMP工艺以所述第二材料层的上表面为终点。