[发明专利]一种氮氧化物荧光粉及其合成方法无效

专利信息
申请号: 201210393031.9 申请日: 2012-10-15
公开(公告)号: CN102911659A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 赵莉;苏醒宇 申请(专利权)人: 彩虹集团公司
主分类号: C09K11/59 分类号: C09K11/59
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 712021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 荧光粉 及其 合成 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种氮氧化物荧光粉及其合成方法。

背景技术

自从1996年日亚化学发表InGaN/Y3Al5O12:Ce3+(简称YAG:Ce)荧光粉的单芯片白光LED,荧光粉转换白光LED技术随之成为市场主流。荧光粉的发展则由较不安定的硫化物与卤化物,演变至化学与高温安定性较佳的铝酸盐(Aluminate)、硅酸盐(Silicate)、氮化物(Nitride)以及氮氧化物(Oxynitride)荧光材料,近期则以氮化物(Nitride)以及氮氧化物(Oxy-nitride)最为热门。

1980年代,金属氮(氧)化物早期多作为结构或功能性陶瓷使用,其在白光LED的应用直至近几年才开始被注意,Li等在2005年最早研制出MSi2O2N2荧光材料并对其发光性质做出研究,CaSi2O2N2:Eu发射峰位于560nm,SrSi2O2N2:Eu峰值位于570nm,而BaSi2O2N2:Eu发射峰值位于500nm。它们的激发光谱都很宽,覆盖了紫外光-蓝光区域,是几种性能良好的荧光粉,不但亮度高,化学稳定性和热力学稳定性相对其他荧光粉都较高,受到了广泛的关注。

以上所说的MSi2O2N2氮氧化物荧光粉通常使用一步合成方法,其制程需要高温、高压的条件,其合成条件较为苛刻,并且所得产物晶相纯度较低,导致其亮度稍逊于其他体系,其次该合成产物的形貌较差,多呈现不规则片状,从而产生了散射现象,大幅度降低了LED用荧光粉的发光亮度。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种发光强度更高并且适合LED使用的氮氧化物荧光粉;

本发明的目的之二是提供一种上述荧光粉的制备方法,能够提高氮氧化物荧光粉的纯度,从而提升其亮度、优化其晶体形貌,并且该方法简单易行、适合大规模工业化生产。

一种氮氧化物荧光粉,其特别之处在于:所述氮氧化物荧光粉的化学通式为A1-xByOzN2/3+4/3y-2/3z:xRE,其中0≤X<1.0,1.0≤Y≤3.0,0<Z≤2.0,A代表Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Zn元素中的至少一种,B代表Si元素,RE代表Eu、Ce、Dy和Mn元素中的至少一种。

一种氮氧化物荧光粉的合成方法,其特别之处在于,包括如下步骤:

(1)首先按照前躯体的化学通式B2N2O中B、N的摩尔比称取含有B、N元素的固体化合物,其中B代表Si元素,经过研磨混合均匀得到一次混合物,然后在保护气体中高温烧结后冷却得到Si2N2O;

(2)按照权利要求1中化学通式A1-xByOzN2/3+4/3y-2/3z:xRE中A、B、RE的摩尔比称取步骤(1)所得化合物B2N2O与含A、RE元素的固体化合物,并将其研磨混合均匀得到二次混合物,在保护气氛下烧结后得到化合物A1-xByOzN2/3+4/3y-2/3z:xRE。

步骤(1)中B元素的固体化合物是其氮化物或氧化物,N元素的固体化合物是Si3N4

步骤(1)中在保护气体中高温烧结是指在保护性气体N2、Ar、体积比为1:3-9的N2/H2和NH3中的至少一种气氛下,烧结温度在1300C-1500C,烧结时间≥3小时的烧结过程。

步骤(2)中含A和RE的元素是其碳酸盐、硝酸盐或氧化物。

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