[发明专利]用于制造包括二氧化硅层的光伏元件的方法

权利要求书

1.一种用于制造光伏元件的方法，包括以下步骤：

在硅基板(1)上制造氮化硅层(7)；

在所述氮化硅层(7)中制造开口；

制造至少部分位于所述氮化硅层(7)的所述开口中的导电接触连接(8，9)，

其特征在于，在制造所述接触连接(8，9)之前，在所述硅基板(1)上制造二氧化硅层(6)，以及

在氧物质和氢氧物质中的至少之一的存在下、在使用具有小于200nm的波长的UV光照射(3)期间通过硅(1)的氧化来制造所述二氧化硅层(6)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在时间上在所述氮化硅层(7)之前并且在空间上在所述氮化硅层(7)和所述硅基板(1)之间制造所述二氧化硅层(6)。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中在制造所述接触连接(8，9)时在至少包括所述氮化硅层(7)仍然存在之处的整个区域之上制造所述二氮化硅层(6)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中使用O₂气氛且在不添加另外的气体的情况下制造所述二氧化硅层(6)，其中另外的氧物质由于所述UV光而由O₂产生。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中通过准分子UV源(3)产生所述UV光。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中所述准分子UV源(3)是氙气灯。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中通过PECVD法沉积所述氮化硅层(7)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述接触连接(8，9)是不含银的金属化。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中所述金属化(8，9)包括电沉积的铜(9)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中通过激光轰击制造所述氮化硅层(7)中的所述开口。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中所制造的所述二氧化硅层(6)具有0.5nm至10nm的厚度。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

所述方法配置为在线方法。

13.具有小于200nm的波长的UV源(3)在制造光伏元件期间用于制造在硅基板(1)和在其上的氮化硅(7)之间的二氧化硅层(6)的用途。