[发明专利]非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物

权利要求书

1.一种具有式（I）结构的半导体化合物：

式（I）

其中R₁和R₂各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基（CN）和卤素；m为R₁侧链的数目并且为0至6的整数；n为R₂侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。

2.权利要求1的半导体化合物，其中该半导体化合物具有式（II）结构：

式（II）

其中m和n独立地为0至4的整数。

3.权利要求1的半导体化合物，其中R₁和R₂独立地为烷基。

4.权利要求1的半导体化合物，其中m和n为1。

5.权利要求1的半导体化合物，其中该半导体化合物具有式（III）结构：

式（III）

其中R₃和R₄独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基（CN）和卤素。

6.权利要求5的半导体化合物，其中R₃和R₄相同并且选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基。

7.一种半导体组合物，其包括：

聚合物粘合剂；和

式(I)的半导体化合物：

式(I)

其中R₁和R₂各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R₁侧链的数目并且为0至6的整数；n为R₂侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。

8.权利要求7的半导体组合物，其中该半导体化合物具有式(II)结构：

式(II)

其中m和n独立地为0至4的整数。

9.权利要求7的半导体组合物，其中m和n为1。

10.一种电子器件，其包括半导体层，该半导体层包括式(I)的半导体化合物：

式(I)

其中R₁和R₂各自独立地选自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、烷氧基、烷硫基、氰基(CN)和卤素；m为R₁侧链的数目并且为0至6的整数；n为R₂侧链的数目并且为0至6的整数；并且p和q独立地为0或1。