[发明专利]堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

权利要求书

1.一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；

在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠；

在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠；

在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区，其中，在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠的步骤进一步包括：

在鳍片之间沉积浅沟槽隔离；

回刻浅沟槽隔离，暴露出鳍片顶部的第一部分；

侧向腐蚀鳍片顶部的第一部分，形成穿通的第一凹槽，鳍片顶部的第一部分剩余的部分构成第一纳米线；

沉积第一保护层，以至少填充且充满穿通的第一凹槽；

各向异性回刻第一保护层与浅沟槽隔离，暴露出鳍片中部的第二部分；

侧向腐蚀鳍片中部的第二部分，形成穿通的第二凹槽，鳍片中部的第二部分剩余的部分构成第二纳米线；

沉积第二保护层，以至少填充第二凹槽；

重复以上步骤，形成多个纳米线。

2.如权利要求1的方法，其中，第一凹槽和/或第二凹槽的形状包括矩形、梯形、倒梯形、Σ形、D形、C形及其组合。

3.如权利要求1的方法，侧向腐蚀鳍片的步骤包括具有横向刻蚀深度的各向同性的等离子体干法刻蚀，或者各向同性刻蚀与各向异性刻蚀的组合方法。

4.如权利要求1的方法，侧向腐蚀鳍片的步骤包括利用不同晶向上选择腐蚀的湿法腐蚀方法，包括TMAH的腐蚀。

5.如权利要求1的方法，其中，第一保护层和/或第二保护层与浅沟槽隔离材质不同。

6.如权利要求1的方法，其中，形成多个纳米线之后进一步包括：去除第一和/或第二保护层，露出多个纳米线；对纳米线堆叠进行表面处理、圆化工艺。

7.如权利要求1的方法，其中，栅极堆叠结构为适用于后栅工艺的假栅极堆叠结构。

8.如权利要求7的方法，其中，形成源漏区之后进一步包括：沉积层间介质层；刻蚀去除假栅极堆叠结构，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中沉积栅极堆叠结构。

9.如权利要求1的方法，其中，形成源漏区的步骤进一步包括：在纳米线堆叠的中部形成掩模；沿第二方向刻蚀纳米线，直至暴露衬底；在衬底上选择性外延生长抬升的源漏区。

10.如权利要求1的方法，其中，形成第一和/或第二保护层之后，还包括各向异性刻蚀保护层以露出第一和/或第二纳米线、以及浅沟槽隔离。