[发明专利]一种恒流充电模式下的充电管理电路

权利要求书

1.一种恒流充电模式下的充电管理电路，其特征在于，其包括输出电路和控制电路，

所述输出电路包括连接于电源和中间节点之间的第一功率开关、连接于中间节点和地之间的第二功率开关、连接于中间节点和输出电路的输出端之间的电感，连接于输出电路的输出端和地之间的电容；

所述控制电路用于检测所述电感的电感电流，当所述电感电流大于第一电流阈值时，控制第一功率开关关断和第二功率开关导通，当所述电感电流小于第二电流阈值时，控制第一功率开关导通和第二功率开关关断，其中第一电流阈值大于第二电流阈值。

2.根据权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于，当所述电感电流大于第一电流阈值时，先控制第一功率开关关断，然后控制第二功率开关导通；当所述电感电流IL小于第二电流阈值时，先控制第二开关关断，然后控制第一功率开关导通。

3.根据权利要求1或者2所述的充电管理电路，其特征在于，在第一功率开关导通和第二功率开关关断时，所述控制电路通过检测第一功率开关上的电流来检测所述电感的电感电流；在第一功率开关关断和第二功率开关导通时，所述控制电路通过检测第二功率开关上的电流来检测所述电感的电感电流，

所述控制电路包括第一比较电路和第二比较电路。所述第一比较电路对第一电流阈值和第一功率开关上的电流进行比较以确定所述电感电流是否大于第一电流阈值；所述第二比较电路对第二电流阈值和第二功率开关上的电流进行比较以确定所述电感电流是否小于第二电流阈值。

4.根据权利要求3所述的充电管理电路，其特征在于，所述控制电路还包括第一电流阈值确定电路和第二电流阈值确定电路，

所述第一电流阈值确定电路产生一个反映第一电流阈值的第一参考电压，第二电流阈值确定电路产生一个反映第二电流阈值的第二参考电压，

在第一功率开关导通和第二功率开关关断时，第一比较电路比较第一参考电压和所述第一功率开关上的压降以确定所述电感电流是否大于第一电流阈值，此时，所述第一功率开关上的压降能够反映第一功率开关上的电流大小；

在第一功率开关关断和第二功率开关导通时，第二比较电路比较第二参考电压和所述第二功率开关上的的压降以确定所述电感电流是否小于第二电流阈值，此时所述第二功率开关上的压降能够反映第二功率开关上的电流大小。

5.根据权利要求4所述的充电管理电路，其特征在于，所述第一功率开关为第一PMOS晶体管，所述第二功开关为第一NMOS晶体管，

所述第一电流阈值确定电路包括第二PMOS晶体管和第一基准电流产生电路，所述第二PMOS晶体管的栅极与第一PMOS晶体管的栅极相连，源极与电源相连，漏极与第一基准电流产生电路产生的下拉型基准电流相连，所述下拉型基准电流驱动第二PMOS晶体管的漏极，从第二PMOS晶体管的漏极流向地节点，所述第一PMOS晶体管相对第二PMOS晶体管的宽长比之比为第一比值，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管同时导通或者关断，当第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管导通时，所述第二PMOS晶体管上的压降为所述第一参考电压，第一电流阈值等于所述下拉型基准电流的电流值与所述第一比值的乘积；

所述第二电流阈值确定电路包括第二NMOS晶体管和第二基准电流产生电路，所述第二NMOS晶体管的栅极与第一NMOS晶体管的栅极相连，源极与所述中间节点相连，漏极与第二基准电流产生电路产生的注入型基准电流相连，所述注入型基准电流驱动第二NMOS晶体管的漏极，从电源节点流向第二NMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管相对第二NMOS晶体管的宽长比之比为第二比值，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管同时导通或者关断，当第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管导通时，所述第二NMOS晶体管上的压降为所述第二参考电压，第二电流阈值等于所述注入型基准电流的电流值与所述第二比值的乘积。