[发明专利]具有平行电阻器的高压器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

源极和漏极，设置在所述衬底中；

漂移区，设置在所述衬底中以及所述源极和所述漏极之间，其中所述漂移区包括具有不同导电类型的多个掺杂部分；

介电部件，设置在所述衬底的表面上以及所述源极和所述漏极之间；

电阻器，设置在所述介电部件上方；以及

栅极，设置在所述介电部件上方以及所述电阻器与所述源极和所述漏极中的一个之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器电浮置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极、所述漏极以及所述栅极为晶体管的部件，并且所述电阻器与所述晶体管并联电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述电阻器具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部；

所述电阻器的所述第一端部与所述漏极电连接；并且

所述电阻器的所述第二端部与所述源极和所述衬底中的一个电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器包含多晶硅并且包括多个绕组部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个绕组部分具有基本一致的宽度并且基本上均匀间隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电部件包括突出到所述衬底外的场氧化物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漂移区中的所述多个掺杂部分包括设置在两个N掺杂部分之间的P掺杂部分。

9.一种半导体器件，包括：

晶体管，具有栅极、源极和漏极，其中：

所述源极和所述漏极形成在掺杂衬底中并且通过所述衬底的漂移区间隔开，其中，所述漂移区包含P掺杂部分和N掺杂部分；

所述栅极形成在所述漂移区上方以及所述源极和所述漏极之间；以及

所述晶体管被配置成处理至少几百伏的高压条件；

介电结构，形成在所述晶体管的所述源极和所述漏极之间，所述介电结构突出到所述衬底中且突出到所述衬底外，其中，所述介电结构的不同部分具有不均匀的厚度；以及

电阻器，形成在所述介电结构上方，所述电阻器具有基本上均匀间隔开的多个绕组部分。

10.一种制造高压半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成漂移区，其中，所述漂移区包括具有不同导电类型的掺杂区；

在所述漂移区上方形成介电隔离结构；

在所述介电隔离结构上方形成晶体管的栅极；

在所述介电隔离结构上方形成电阻器件，其中，所述电阻器件包括多个绕组部分；以及

在所述衬底中形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极通过漂移区和所述介电隔离结构间隔开，并且所述电阻器件和所述栅极设置在所述源极和所述漏极之间。