[发明专利]一种多晶硅通孔的制造方法有效
| 申请号： | 201210391007.1 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730408A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅通孔 制造 方法 | ||
1.一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）在硅衬底上依次生长硅外延和介质层；
2）在硅衬底或硅外延上刻蚀出沟槽；
3）在沟槽侧壁生长一层具有压应力的SiGe外延层；
4）用多晶硅填充沟槽；
5）依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延层和介质层。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步骤1）中硅外延的厚度为0.1-5微米，硅外延采用化学气相外延的方法，生长温度为500-1300℃，压力为0.1-760Torr。
3.如权利要求1所述的一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步骤1）中介质层为SiO2，SiN，SiON中的至少一种，所述介质层生长采用化学气相沉积的方式生长，所述介质层的厚度为0.1-2微米。
4.如权利要求1所述的一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步骤2）中沟槽的宽度为0.05-5微米，深度为0.1-5微米，且沟槽深度大于硅外延的厚度；刻蚀方法采用各向异性的干法刻蚀，以光刻胶为掩模，在预定区域刻蚀出沟槽，该沟槽穿通硅外延。
5.如权利要求1所述的一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步骤3）中SiGe外延层采用化学气相外延生长方法，生长温度为400-1000℃，压力0.1-760Torr，SiGe外延层的厚度为10-5000埃,SiGe外延层中Ge的摩尔百分比含量为0.1%-50%，SiGe外延层中的载流子浓度为1E15-1E22atoms/cm3。
6.如权利要求1所述的一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步骤4）中多晶硅采用化学气相沉积的方法填充，沉积温度为500-700℃，压力为1mtorr-760Torr；多晶硅中的载流子浓度为1E15-1E22atoms/cm3。
7.如权利要求1所述的一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步骤5）中采用干法刻蚀工艺或化学机械研磨工艺依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延层和介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
