[发明专利]面结型场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种面结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

两个第一导电类型阱，形成于第二导电类型的半导体衬底上，两个所述第一导电类型阱之间相隔距离一、且两个所述第一导电类型阱之间的区域形成沟道区，该沟道区为第一导电类型掺杂、且所述沟道区的第一导电类型杂质是由两个所述第一导电类型阱的杂质扩散形成；通过调节所述距离一调节所述沟道区的掺杂浓度以及调节面结型场效应晶体管的夹断电压；

在第一个第一导电类型阱中形成有第一导电类型重掺杂的源区、在第二个第一导电类型阱中形成有第一导电类型重掺杂的漏区；在俯视面上，所述源区到漏区的方向为长度方向、和该长度方向垂直的为宽度方向；所述沟道区的宽度由两个所述第一导电类型阱的宽度决定，并通过调节两个所述第一导电类型阱的宽度调节所述面结型场效应晶体管的沟道电流；

一第二导电类型阱，形成于所述沟道区顶部并从顶部将所述沟道区全部覆盖，所述第二导电类型阱还延伸到所述沟道区周侧的两个所述第一导电类型阱、或所述半导体衬底中，所述第二导电类型阱的结深小于两个所述第一导电类型阱的结深，所述第二导电类型阱用于从顶部对所述沟道区进行纵向耗尽；

在所述第二导电类型阱中形成有第二导电类型重掺杂的引出区一、在两个所述第一导电类型阱以及所述第二导电类型阱外部的所述半导体衬底中形成有第二导电类型重掺杂的引出区二，所述引出区一和所述引出区二通过金属连线相连并引出栅极。

2.如权利要求1所述的面结型场效应晶体管，其特征在于：两个所述第一导电类型阱都为矩形，两个所述第一导电类型阱相邻的宽度边大小相同且两端对齐并相隔所述距离一；所述第二导电类型阱的宽度大于两个所述第一导电类型阱的宽度，所述第二导电类型阱的长度大于所述距离一。

3.如权利要求1或2所述的面结型场效应晶体管，其特征在于：所述距离一为0.5微米～20微米。

4.如权利要求1或2所述的面结型场效应晶体管，其特征在于：所述面结型场效应晶体管为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者所述面结型场效应晶体管为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

5.一种面结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用离子注入工艺在第二导电类型的半导体衬底上形成两个第一导电类型阱，两个所述第一导电类型阱之间相隔距离一；两个所述第一导电类型阱之间的区域形成沟道区；通过调节所述距离一调节所述沟道区的掺杂浓度以及调节面结型场效应晶体管的夹断电压；

步骤二、对两个所述第一导电类型阱进行退火推阱，该推阱使两个所述第一导电类型阱的掺杂均匀并且使两个所述第一导电类型阱的第一导电类型杂质扩散到所述沟道区并使所述沟道区为第一导电类型掺杂；

步骤三、采用离子注入工艺在所述沟道区顶部形成第二导电类型阱；所述第二导电类型阱从顶部将所述沟道区全部覆盖，所述第二导电类型阱还延伸到所述沟道区周侧的两个所述第一导电类型阱、或所述半导体衬底中，所述第二导电类型阱的结深小于两个所述第一导电类型阱的结深，所述第二导电类型阱用于从顶部对所述沟道区进行纵向耗尽；

步骤四、进行第一导电类型重掺杂的离子注入在第一个第一导电类型阱中形成由第一导电类型重掺杂区组成的源区、在第二个第一导电类型阱中形成由第一导电类型重掺杂区组成的漏区；

步骤五、进行第二导电类型重掺杂的离子注入在所述第二导电类型阱中形成由第二导电类型重掺杂区组成的引出区一、在两个所述第一导电类型阱以及所述第二导电类型阱外部的所述半导体衬底中形成由第二导电类型重掺杂区组成的引出区二；

步骤六、形成金属接触并分别引出源极、漏极和栅极；所述源极和所述源区相连，所述漏极和所述漏区相连，所述栅极和所述引出区一以及引出区二相连。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：两个所述第一导电类型阱都为矩形，两个所述第一导电类型阱相邻的宽度边大小相同且两端对齐并相隔所述距离一；所述第二导电类型阱的宽度大于两个所述第一导电类型阱的宽度，所述第二导电类型阱的长度大于所述距离一。

7.如权利要求5或6所述的面结型场效应晶体管，其特征在于：所述距离一为0.5微米～20微米。

8.如权利要求5或6所述的面结型场效应晶体管，其特征在于：所述面结型场效应晶体管为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者所述面结型场效应晶体管为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。