[发明专利]一种测量薄膜热电性能参数的装置和方法无效

专利信息
申请号: 201210390517.7 申请日: 2012-10-16
公开(公告)号: CN102914560A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 胡志宇;曾志刚;林聪 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20;G01R27/14
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 测量 薄膜 热电 性能参数 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种测量薄膜热电性能参数的装置,包括:测温装置(2、3、4)、数据采集装置(8)、热沉(1)、电流源(7)、载物台(5)、计算机(9)、控温箱(10)和电压表(6),其特征在于:所述待测样品固定在载物台(5)上;待测样品的第一个接触点(1′)连接热沉(1),另外第二、第三、第四三个接触点(2′)、(3′)、(4′)分别各连接一个测温装置,电源(11)经控温箱(10)连接至电流源(7),电流源(7)连接至热沉(1),测温装置a(2),测温装置b(3)和测温装置c(4)连接电压表(6),电流源(7)和电压表(6)连接至数据采集装置(8),数据采集装置(8)的输出连接至计算机(9);电流源(7)提供测温装置(2、3、4)所需要的电流,输入直流或交流信号;第三接触点(3′)和第四接触点(4′)之间连一个电压表(6),用来测量两个接触点之间的电势差;利用数据采集装置(8)实时监测记录实验所需的各项参数;利用计算机(9)对数据进行分析处理,得到待测薄膜的热导率、电导率、塞贝克系数和热电优值。

2.根据权利要求1所述的一种测量薄膜热电性能参数的装置,其特征在于:所述待测薄膜可以是均匀薄膜或者非均匀薄膜,且可以是任意形状。

3.根据权利要求1所述的一种测量薄膜热电性能参数的装置,其特征在于:所述测温装置(2、3、4)为Pt100、Pt10、Pt1000、Cu50或Cu100测温电阻,或者是热电偶。

4.根据权利要求1所述的一种测量薄膜热电性能参数的装置,其特征在于:接触点是一系列的接触点,所述接触点的个数是4~20个。

5.一种测量薄膜热电性能参数的装置,采用根据权利要求1所述的测量薄膜热电性能参数的装置进行测量,其特征在于:测量的操作步骤如下:

1)所述样品需裁剪成与所述载物台(5)相似的形状;

2)待测薄膜样品的第一个接触点(1′)连接热沉(1),另外第二、第三、第四三个接触点(2′、3′、4′)分别连接一个测温电阻(2、3、4);

3)对所述第一、第二两个接触点(1′、2′)输入电流,测量另外第三、第四两个接触点(3′、4′)之间的电压,再对第一、第三接触点(1′、3′)输入电流,测量第二、第四接触点(2′、4′)之间的电压,根据范德堡方程exp(?πσdR21,43) + exp(?πσdR31,42) = 1推算出所述待测样品的电导率σ;

4)由于接触点(1′)连接了一个热沉(1),是样品中唯一的热接触,第一接触点(1′)和第二接触点(2′)之间的热流相当于加热器产生的热量;第二接触点(2′)作为热源,测量第三接触点(3′)和第四接触点(4′)之间的温度差,再把第三接触点(3′)作为热源,测量第二接触点(2′)和第四接触点(4′)之间的温度差,根据范德堡方程exp(?πκd                                                ) + exp(?πκd) = 1推算出所述待测样品的热导率κ;

5)测量第二接触点(2′)和第四接触点(4′)之间的温度差和电压,测量第三接触点(3′)和第四接触点(4′)之间的温度差和电压,根据塞贝克系数的定义式S==计算出待测薄膜样品的塞贝克系数S;

6)第二接触点(2′)和第一接触点(1′)之间分别通过交流和直流电流,测量第三接触点(3′)和第四接触点(4′)之间的电压,根据公式ZT ==可以直接推算出薄膜材料的ZT值,采用一个控温箱(10)就可以得到不同温度下薄膜材料的热电优值;

7)用步骤6)中得到的ZT值和用步骤3)、4)、5)中得到的电导率σ、热导率κ、塞贝克系数S求出的ZT值作比较,检测结果的精确度。

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