[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，特别是涉及一种可降低电阻的半导体结构。

背景技术

现有习知的半导体制造过程中，为了改善高功率IC散热问题而开发出晶背金属化制造过程(Back Side Metal Process)，其是在晶圆背面蒸镀或溅镀一层或多层可做为接合/导热用的金属层，该金属层亦可再接合基材(例如：散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果，目前一般蒸镀或溅镀在晶圆背面的金属层大多选用金或银，但目前金价居高不下，因此基于成本考量下，银层是为较佳选择，然而银层与硅晶圆之间必须以钛层作为黏着层，但后端封装制造过程中温度过高而钛层厚度薄时，银层会融化而扩散至硅-钛层，造成硅晶圆与银层剥离，反之，温度过高而钛层厚度厚时，钛-银层会产生界面合金共化物，因而导致电阻抗上升。

有鉴于上述现有的半导体结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的半导体结构，能够改进一般现有的半导体结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的半导体结构存在的缺陷，而提供一种半导体结构，其包含硅基板、钛层、镍层、银层以及金属材质黏着层，该硅基板是具有主动面及背面，该钛层是形成于该背面，该钛层是具有上表面，该镍层是形成于该钛层的该上表面，该银层是形成于该镍层上，该金属材质黏着层是形成于该镍层及该银层之间。借由该金属材质黏着层使该镍层与该银层具有良好的结合强度，且该镍层可作为良好的阻障层，进而使该半导体结构达到最佳的散热及导电效果，并降低封装后的电阻抗。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体结构，其中至少包含：硅基板，其是具有主动面及背面；钛层，其是形成于该背面，该钛层是具有上表面；镍层其是形成于该钛层的该上表面；银层，其是形成于该镍层上；以及金属材质黏着层，其是形成于该镍层及该银层之间。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层的材质是选自于钛。

前述的半导体结构，其中该钛层的厚度范围是介于

前述的半导体结构，其中该镍层的厚度范围是介于

前述的半导体结构，其中该银层的厚度范围是介于

前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层的厚度范围是介于

前述的半导体结构，其中该金属材质黏着层是具有第一厚度，该钛层是具有第二厚度，该第一厚度是不大于该第二厚度。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明半导体结构可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1是一种半导体结构示意图，说明本发明半导体结构的较佳实施例。

图2是该半导体结构的扫描电子显微镜照片图，说明本发明半导体结构的较佳实施例。

【主要元件符号说明】

100：半导体结构           110：硅基板

111：主动面               112：背面

120：钛层                 121：上表面

130：镍层                 140：银层

150：金属材质黏着层       T1：第一厚度

T2：第二厚度

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体结构的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。