[发明专利]氮化物半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210385352.4 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103050594A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 村田彻 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
准备基板的工序，该基板在表面具有凹部和设置于所述凹部之间的凸部且由三方晶系刚玉或六方晶系晶体形成；
在所述基板上形成氮化物半导体中间层的工序；
在所述氮化物半导体中间层上形成第一氮化物半导体基础层的工序；
在所述第一氮化物半导体基础层上形成第二氮化物半导体基础层的工序；
在所述第二氮化物半导体基础层上通过MOCVD法形成第三氮化物半导体基础层的工序；
所述第一氮化物半导体基础层的表面具有第一小斜面和第一平坦区域；
在所述第一氮化物半导体基础层的所述表面中，所述第一小斜面所占面积比例小于所述第一平坦区域所占面积比例；
所述第二氮化物半导体基础层具有环绕所述凸部的第二小斜面；
所述第三氮化物半导体基础层的下表面与所述第二小斜面相接；
在形成所述第三氮化物半导体基础层的工序中，所述第三氮化物半导体基础层生长时单位时间所提供的V族原料气的摩尔量与单位时间所提供的III族原料气的摩尔量之比即V/III比为700以下，所述第三氮化物半导体基础层生长时的压力为26.6kPa以上，所述第三氮化物半导体基础层的生长速度为2.5μm/h以上。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第三氮化物半导体基础层的工序中，在所述第三氮化物半导体基础层生长时提供不足198slm的氢。
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