[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

其中形成有载流子的第一化合物半导体层；

设置在所述第一化合物半导体层上方的供给所述载流子的第二化合物半导体层；以及

设置在所述第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，

其中所述第三化合物半导体层包括载流子浓度高于所述第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，

其中所述区域具有比费米能低的能级。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，

其中所述区域以给定浓度掺杂有n型杂质。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，

其中所述区域是所述第三化合物半导体层的下部。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，

其中所述第三化合物半导体层包括依次沉积的第一GaN子层、AlN层和第二GaN层。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，

其中所述区域形成在所述第一GaN子层中。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

置于包括所述第一化合物半导体层、所述第二化合物半导体层和所述第三化合物半导体层的化合物半导体多层结构上方的第一电极；以及

设置在所述化合物半导体多层结构上的第二电极对，所述第二电极对中的每一个设置在所述第一电极的对应侧上，

其中所述第三化合物半导体层的所述区域设置在所述第二电极对中的一个与所述第一电极之间。

8.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

置于包括所述第一化合物半导体层、所述第二化合物半导体层和所述第三化合物半导体层的化合物半导体多层结构上方的第一电极；以及

设置在所述化合物半导体多层结构上的第二电极对，所述第二电极对中的每一个设置在所述第一电极的对应侧上，

其中所述化合物半导体多层结构的在选自所述第一电极和所述第二电极对中的至少一个电极下方的部分掺杂有n型杂质。

9.根据权利要求7所述的化合物半导体器件，

其中所述区域形成在所述第二电极对的至少一个电极侧上，并且所述第一电极利用绝缘层形成在所述第三化合物半导体的凹部之上。

10.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：

形成其中形成有载流子的第一化合物半导体层；

在所述第一化合物半导体层上方形成第二化合物半导体层以供给所述载流子；

在所述第二化合物半导体层上方形成第三化合物半导体层，以形成包括所述第一化合物半导体层、所述第二化合物半导体层和所述第三半导体层的化合物半导体多层结构；以及

在所述第三化合物半导体层中形成载流子浓度高于所述第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中所述区域具有比费米能低的能级。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括，

以给定浓度将n型杂质掺杂到所述第三化合物半导体层中以形成所述区域。

13.根据权利要求10所述的方法，

其中在所述第三化合物半导体层的下部中形成所述区域。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括，

依次沉积第一GaN子层、AlN层和第二GaN层以形成所述第三化合物半导体层。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中在所述第一GaN层中形成所述区域。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述化合物半导体多层结构上方形成第一电极；

形成第二电极对，使得所述第二电极对中的每一个设置在所述第一电极的对应侧；以及

在所述第二电极对中的一个与所述第一电极之间形成所述区域。