[发明专利]MEMS器件、其条带测试方法及其测试条带

权利要求书

1.一种用于测试MEMS器件(1)的条带(10)的方法，所述MEMS器件(1)至少包括耦合至共同的基板(3)的内部表面(3a)并且由保护材料(5)覆盖的半导体材料的相应裸片(6；7)；所述方法包括：

检测由所述MEMS器件(1)响应于至少一个测试激励而生成的输出值；以及

在检测步骤之前，至少部分地分隔所述条带(10)中的邻接的MEMS器件(1)，

其特征在于，分隔步骤包括在所述邻接的MEMS器件(1)之间限定分隔沟槽(14)，所述分隔沟槽(14)延伸穿过所述保护材料(5)的整个厚度并且穿过所述基板(3)的、从其所述内部表面(3a)开始的表面部分，

其中所述基板(3)的所述表面部分承载所述邻接的MEMS器件(1)之间的电连接(32；34)；并且所述分隔步骤包括经由移除所述基板(3)的所述表面部分电绝缘所述邻接的MEMS器件(1)，

其中所述邻接的MEMS器件(1)之间的所述电连接包括连接至设计用于镀覆操作的共同镀覆条(34)的镀覆迹线(32)，所述镀覆条(34)限定所述邻接的MEMS器件(1)之间的边界；并且其中所述分隔步骤包括移除所述镀覆条(34)和连接至所述镀覆条(34)的所述镀覆迹线(32)的至少部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分隔沟槽(14)在所述基板(3)中的延伸(h)并不高于所述基板(3)的厚度的一半。

3.根据权利要求1或者2所述的方法，其中所述分隔步骤包括在所述邻接的MEMS器件(1)之间留下所述基板(3)的、限定其外部表面(3b)的剩余部分(12)；所述MEMS器件(1)在所述检测步骤期间由所述基板(3)的所述剩余部分(12)保持在一起。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述分隔步骤包括物理地和电学地分隔所述邻接的MEMS器件(1)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述邻接的MEMS器件(1)之间的电连接(32；34)仅提供在所述基板(3)的所述表面部分内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板(3)具有多层结构，所述多层结构包括由电介质层(22)分隔的多个堆叠的导电层(21)；并且其中所述基板(3)的所述表面部分包括在所述堆叠的导电层(21)中的多个表面导电层(21)，并且所述镀覆迹线(32)和镀覆条(34)形成于所述表面导电层(21)中。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述MEMS器件(1)是传感器器件，每个传感器器件包括集成有检测结构的MEMS裸片(6)和集成有耦合至所述检测结构的接口电子器件的ASIC裸片(7)。

8.一种设计用于经历测试操作的MEMS器件(1)的条带(10)，其中所述MEMS器件(1)至少包括耦合至共同的基板(3)的内部表面(3a)并且由保护材料(5)覆盖的半导体材料的相应裸片(6；7)，并且其中邻接的MEMS器件(1)在所述条带(10)中至少部分地分隔；

其特征在于，其包括在所述邻接的MEMS器件(1)之间的分隔沟槽(14)，所述分隔沟槽(14)延伸穿过所述保护材料(5)的整个厚度并且穿过所述基板(3)的、从其所述内部表面(3a)开始的表面部分，

其中所述基板(3)的所述表面部分承载所述邻接的MEMS器件(1)之间的电连接(32；34)；并且所述分隔步骤包括经由移除所述基板(3)的所述表面部分电绝缘所述邻接的MEMS器件(1)，

其中所述邻接的MEMS器件(1)之间的所述电连接包括连接至设计用于镀覆操作的共同镀覆条(34)的镀覆迹线(32)，所述镀覆条(34)限定所述邻接的MEMS器件(1)之间的边界；并且其中所述分隔步骤包括移除所述镀覆条(34)和连接至所述镀覆条(34)的所述镀覆迹线(32)的至少部分。

9.根据权利要求8所述的条带，其中所述分隔沟槽(14)在所述基板(3)中的高度(h)并不高于所述基板(3)的厚度的一半。

10.根据权利要求8或9所述的条带，包括在所述邻接的MEMS器件(1)之间的、所述基板(3)的、限定其外部表面(3b)的剩余部分(12)；其中所述MEMS器件(1)被设计成在所述测试操作期间由所述基板(3)的所述剩余部分(12)保持在一起。