[发明专利]开关驱动器装置、系统及开关驱动方法

权利要求书

1.一种开关驱动器系统，包括：

双极型结型晶体管(BJT)开关，包括基极、发射极以及集电极；

能量存储电路，连接到所述BJT开关的所述集电极，所述能量存储电路向所述BJT开关的所述集电极供应电流；

电流感测电路，连接到所述发射极，所述电流感测电路配置成感测流过所述BJT开关的所述发射极的电流；以及

比例偏置电路，配置成生成到所述BJT开关的所述基极的偏置电流，所述偏置电流被设置成与所感测到的流过所述BJT开关的所述发射极的电流成固定比例。

2.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，进一步包括：金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关，串联连接在所述BJT开关的所述发射极与所述电流感测电路之间，所述MOSFET开关配置成对流过所述BJT开关的所述发射极的电流进行开关。

3.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中，所述电流感测电路包括电流感测电阻器，所述比例偏置电路通过电源电压电阻器连接到电源电压，所述固定比例是基于所述电流感测电阻器的阻值与所述电源电压电阻器的阻值之间的比率的。

4.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中，所述系统向与开关式电源相关联的开关提供偏置。

5.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中所述能量存储电路是电感器或变压器的绕组。

6.根据权利要求1所述的开关驱动器系统，其中，所述BJT开关可在超过700伏的电压下操作。

7.根据权利要求2所述的开关驱动器系统，其中，所述MOSFET开关对流过所述BJT开关的所述发射极的电流所进行的开关由电源控制器电路所提供的脉冲宽度调制(PWM)信号来控制。

8.一种开关驱动方法，包括：

选择性地操作双极型结型晶体管(BJT)开关来控制电流，所述BJT开关包括基极、发射极以及集电极；

将电流感测电路直接或者通过一串联的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关连接到所述BJT开关的所述发射极，所述电流感测电路配置成感测流过所述BJT开关的所述发射极的电流；以及

生成到所述BJT开关的所述基极的偏置电流，所述偏置电流被维持为与所感测到的流过所述BJT开关的所述发射极的电流成固定比例。

9.根据权利要求8所述的开关驱动方法，进一步包括：将MOSFET开关串联连接在所述BJT开关的所述发射极与所述电流感测电路之间，所述MOSFET开关配置成对流过所述BJT开关的所述发射极的电流进行开关。

10.根据权利要求8所述的开关驱动方法，进一步包括：基于电流感测电阻器的阻值与电源电压电阻器的阻值的比率确定所述固定比例，其中所述电流感测电阻器与所述电流感测电路相关联，所述电源电压电阻器与连接到比例偏置电路的电源电压相关联，所述比例偏置电路生成所述偏置电流。

11.根据权利要求8所述的开关驱动方法，其中，所述偏置电流被供应到与开关式电源相关联的开关。

12.根据权利要求8所述的开关驱动方法，其中，所述BJT开关可在超过700伏的电压下操作。

13.根据权利要求8所述的开关驱动方法，进一步包括：在超过700伏的电压下操作所述BJT开关。

14.根据权利要求8所述的开关驱动方法，其中所述MOSFET开关对流过所述BJT开关的所述发射极的电流所进行的开关由电源控制器电路所提供的脉冲宽度调制(PWM)信号来控制。

15.一种开关驱动器装置，包括：

双极型结型晶体管(BJT)开关，包括基极、发射极以及集电极；

电流感测电路，与所述发射极连接，所述电流感测电路配置成感测流过所述BJT开关的所述发射极的电流；以及

比例偏置电路，配置成生成到所述BJT开关的所述基极的偏置电流，所述偏置电流被设置为与所感测到的流过所述BJT开关的所述发射极的电流成固定比例。

16.根据权利要求15所述的开关驱动器装置，进一步包括：金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关，串联连接在所述BJT开关的所述发射极与所述电流感测电路之间，所述MOSFET开关配置成开关流过所述BJT开关的所述发射极的电流。